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자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자(Magnetic Tunnel Junction Device And Magnetic Memory Device)

  • 기술번호 : KST2018004595
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자를 제공한다. 상기 자기 터널 접합 소자는 차례로 적층된 고정 자성체, 절연체, 및 자유 자성체를 구비하는 자기 터널 접합 및 상기 자기 터널 접합의 상기 자유 자성체에 인접하여 상기 자기 터널 접합에 면내 전류를 인가하는 도선을 포함한다. 상기 자기 터널 접합 소자는 상기 고정 자성체는 고정 자화 방향을 갖고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이고, 상기 자유 자성체는 [보조 자유 자성층/자유 비자성층]N/메인 자유 자성층 구조이며, N은 2 이상의 자연수이고, [보조 자유 자성층/자유 비자성층] 구조가 N번 반복 적층된 구조임을 나타낸다. 상기 메인 자유 자성층 및 상기 보조 자유 자성층은 자화 방향이 변하고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이며, 상기 메인 자유 자성층은 상기 면내 전류로 인해 스핀 전류를 발생시키는 도선과 인접하여 배치된다. 상기 자유 자성체를 구성하는 자성층들 중 서로 가장 가까운 두 자성층의 자화방향은 RKKY 교환 상호작용에 의해 서로 반대 방향이다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01)
CPC H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160136757 (2016.10.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0043696 (2018.04.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.20)
심사청구항수 41

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경진 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1021387-69
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1056464-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0093877-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0506401-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0836792-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0836793-21
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0052421-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0171880-76
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0171879-29
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0186344-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고정 자성체, 자유 자성체, 및 상기 고정 자성체와 상기 자유 자성체 사이에 개재된 절연체를 구비하는 자기 터널 접합 및 상기 자기 터널 접합의 상기 자유 자성체에 인접하여 면내 전류가 흐르는 도선을 포함하는 자기 터널 접합 소자에 있어서,상기 고정 자성체는 고정 자화 방향을 갖고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이고,상기 자유 자성체는 [보조 자유 자성층/자유 비자성층]N/메인 자유 자성층 구조이며, N은 2 이상의 자연수이고, [보조 자유 자성층/자유 비자성층] 구조가 N번 반복 적층된 구조임을 나타내며, 상기 자유 자성체 내에서 서로 이웃한 두 자성층들은 상기 자유 비자성층을 통한 RKKY (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida) 교환 상호작용에 의해 서로 반대방향의 자화를 갖으며,상기 메인 자유 자성층 및 상기 보조 자유 자성층은 자화 방향이 변하고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이며, 상기 메인 자유 자성층은 상기 면내 전류로 인해 스핀 전류를 발생시키는 도선과 인접하여 배치되고,상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층 이외의 자유 자성체 내의 다른 자성층들은 벌크 토크(bulk-torque) 특성을 발현하기 위해 강자성 결맞음 길이 보다 작은 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층의 두께가 1nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 자유 자성체에 포함된 자성층들 중 상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층을 제외한 모든 자성층들의 각각의 두께가 1nm 이하인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
4 4
제1 항에 있어서,상기 자유 자성체의 전체 두께는 2nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 보조 자유 자성층 및 상기 메인 자유 자성층 각각은 Fe, Co, B 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 보조 자유 자성층 및 상기 메인 자유 자성층 각각은 서로 다른 물질로 이루어지거나 서로 다른 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 고정 자성체는 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 고정 자성체은 차례로 적층된 제1 고정 자성층, 고정 비자성층, 및 제2 고정 자성층으로 이루어진 반자성체 (Synthetic Antiferromagnet) 구조로서,상기 제1 고정 자성층 및 제2 고정 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 고정 비자성층은 Ru, Ta, Cu 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 고정 자성체은 차례로 적층된 반강자성층, 제1 고정 자성층, 고정 비자성층, 및 제2 고정 자성층으로 이루어진 교환바이어스된 반자성체구조로서,상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어지고,상기 제1 고정 자성층 및 제2 고정 자성층은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어지며,상기 고정 비자성층은 Ru, Ta, Cu, 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 절연체는 AlOx, MgO, TaOx, ZrOx 및 이들의 혼합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 도선은 Cu, Ta, Pt, W, Bi, Ir, Mn, Ti, Cr, O, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
13 13
제1항에 있어서,상기 도선은 반강자성층을 포함하고,상기 도선은 상기 메인 자유 자성층에 면내 교환바이어스 자기장을 제공하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
14 14
제1항에 있어서,상기 자유 자성체의 외부로부터 발생되는 자기장이 상기 자유 자성체에 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
15 15
제1항에 있어서,상기 자유 자성체는 적어도 하나의 자구 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
16 16
제1항에 있어서,상기 도선은 차례로 적층된 반강자성층 및 강자성층을 포함하고,상기 반강자성층은 상기 메인 자유 자성층에 인접하여 배치되고,상기 강자성층은 면내 자화 방향을 가지고,상기 도선은 상기 메인 자유 자성층에 면내 교환바이어스 자기장을 제공하고,상기 자유 자성체는 외부 자기장 없이 스위칭되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
17 17
제1항에 있어서,상기 고정 자성체에 인접하여 차례로 적층된 쌍극자 필드 비자성층 및 면내 자화방향을 가진 쌍극자 필드 강자성층을 더 포함하고,상기 쌍극자 필드 비자성층은 상기 고정 자성체에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
18 18
제1항에 있어서,상기 도선과 상기 자유 자성체 사이에 배치된 보조 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
19 19
제1항에 있어서,상기 도선은 차례로 적층된 도선 비자성층 및 도선 강자성층을 포함하고,상기 도선 강자성층은 면내 자화 방향 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
20 20
제1항에 있어서,상기 도선은 차례로 적층된 도선 강자성층 및 도선 비자성층을 포함하고,상기 도선 강자성층과 상기 자유 자성체 사이에 배치된 비자성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 소자
21 21
복수의 자기 터널 접합을 구비한 자기 메모리 소자에 있어서, 고정 자성체, 자유 자성체, 및 상기 고정 자성체와 상기 자유 자성체 사이에 개재된 절연체를 구비하고 매트릭스 형태로 배열된 상기 복수의 자기 터널 접합; 및상기 자기 터널 접합의 자유 자성체에 인접하여 배치되고 면내 전류가 흐르는 제1 도전 패턴을 포함하고,상기 고정 자성체는 고정 자화 방향을 갖고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이고,상기 자유 자성체는 자화 방향이 변하고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 자유 자성체는 [보조 자유 자성층/자유 비자성층]N/메인 자유 자성층 구조이며, 상기 자유 자성체 내에서 서로 이웃한 두 자성층들은 상기 자유 비자성층을 통한 RKKY (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida) 교환상호작용에 의해 서로 반대방향의 자화를 갖으며,N은 2 이상의 자연수이고, [보조 자유 자성층/자유 비자성층] 구조가 N번 반복 적층된 구조이고,상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층 이외의 자유 자성체 내의 다른 자성층들은 벌크 토크(bulk-torque) 특성을 발현하기 위해 강자성 결맞음 길이 보다 작은 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
22 22
제21항에 있어서,상기 메인 자유 자성층은 상기 제1 도전 패턴과 인접하여 배치되고,상기 제1 도전 패턴은 면내 전류로부터 상기 제1 도전 패턴의 배치 평면에 수직한 스핀 전류를 발생시키어 상기 자유 자성체의 자화 방향을 스위칭하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
23 23
제21 항에 있어서,상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층의 두께가 1nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
24 24
제21 항에 있어서,상기 자유 자성체에 포함된 자성층들 중 상기 절연체에 인접한 상기 보조 자유 자성층을 제외한 모든 자성층들의 각각의 두께가 1nm 이하인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
25 25
제21항에 있어서,상기 자유 자성체의 전체 두께는 2nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
26 26
제21항에 있어서,상기 보조 자유 자성층 및 상기 메인 자유 자성층 각각은 서로 다른 물질로 이루어지거나 서로 다른 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
27 27
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 Cu, Ta, Pt, W, Bi, Ir, Mn, Ti, Cr, O, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
28 28
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 면내 전류를 인가하고, 반강자성층을 포함하고,상기 제1 도전 패턴은 상기 메인 자유 자성층에 면내 교환바이어스 자기장을 제공하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
29 29
제21항에 있어서,상기 자유 자성체는 적어도 하나의 자구 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
30 30
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 면내 전류를 인가하고, 차례로 적층된 반강자성층 및 강자성층을 포함하고,상기 반강자성층은 상기 메인 자유 자성층에 인접하여 배치되고,상기 강자성층은 면내 자화 방향을 가지고,상기 제1 도전 패턴은 상기 메인 자유 자성층에 면내 교환바이어스 자기장을 제공하고,상기 자유 자성체는 외부 자기장 없이 스위칭되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 자기 메모리 소자
31 31
제21항에 있어서,상기 고정 자성체에 인접하여 차례로 적층된 쌍극자 필드 비자성층 및 면내 자화방향을 가진 쌍극자 필드 강자성층을 더 포함하고,상기 쌍극자 필드 비자성층은 상기 고정 자성체에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
32 32
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴과 상기 자유 자성체 사이에 배치된 보조 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
33 33
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 차례로 적층된 제1 도전 패턴 비자성층 및 제1 도전 패턴 자성층을 포함하고,상기 제1 도전 패턴 자성층은 면내 자화 방향 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
34 34
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 차례로 적층된 제1 도전 패턴 자성층 및 제1 도전 패턴 비자성층을 포함하고,상기 제1 도전 패턴 자성층과 상기 자유 자성체 사이에 배치된 비자성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
35 35
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 나란히 진행하고,제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 고정 자성체에 전기적으로 연결되고 상기 기판 평면에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
36 36
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 고정 자성체에 전기적으로 연결되고 상기 기판 평면에서 상기 제 1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴;상기 제1 방향으로 배열된 상기 제1 도전 패턴들의 각각의 일단에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 도전 패턴; 및제2 방향으로 배열된 제1 도전 패턴들의 각각의 타단에 연결되고 상기 제2 방향으로 연장되는 제4 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
37 37
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 연장되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 자기 터널 접합들의 고정 자성체 각각에 전기적으로 연결된 선택 트렌지스터들;상기 제1 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들 각각의 소오스/드레인에 전기적으로 연결되고 상기 기판 평면에서 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴; 및상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 상기 선택 트렌지스터들 각각의 게이트에 연결된 제3 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
38 38
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 연장되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 자기 터널 접합들의 고정 자성체 각각에 전기적으로 연결된 선택 트렌지스터들;상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들 각각의 소오스/드레인에 전기적으로 연결되고 상기 기판 평면에서 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴; 및상기 제1 방향으로 배열된 상기 선택 트렌지스터들 각각의 게이트에 연결된 제3 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
39 39
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴 각각에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합의 고정 자성체 각각에 전기적으로 연결되고 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴;상기 제1 방향으로 배열된 제1 도전 패턴의 각각의 일단에 연결되고 제1 방향으로 연장되는 제3 도전 패턴;상기 제1 도전 패턴 각각의 타단에 연결되는 선택 트렌지스터들; 상기 제1 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들의 소오스/드레인에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 도전 패턴; 및상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들의 게이트에 연결되고 상기 제2 방향으로 연장되는 제5 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
40 40
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴 각각에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 자기 터널 접합들의 고정 자성체에 각각 연결되는 선택 트렌지스터들; 상기 제1 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들의 소오스/드레인에 각각 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴;상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 선택 트렌지스터들의 게이트에 연결되고 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 도전 패턴;상기 제1 방향으로 배열된 제 1 도전 패턴 각각의 일단에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 도전 패턴; 및상기 제1 방향으로 배열된 제1 도전 패턴의 타단에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제5 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
41 41
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴 각각에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 고정 자성체 각각에 전기적으로 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴;상기 제1 도전 패턴의 일단에 각각 연결된 제1 선택 트렌지스터;상기 제1 도전 패턴의 타단에 각각 연결된 제2 선택 트렌지스터;상기 제1 방향으로 배열된 상기 제1 선택 트렌지스터의 소오스/드레인에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제 3 도전 패턴; 상기 제1 방향으로 배열된 상기 제2 선택 트렌지스터의 소오스/드레인에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제 4 도전 패턴; 및상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 제1 선택 트렌지스터의 게이트와 제2 선택 트렌지스터의 게이트를 서로 연결하여 상기 제2 방향으로 연장되는 제 5 도전 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
42 42
제21항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 기판 평면에서 제1 방향으로 주기적으로 배치되고,상기 제1 방향으로 배열된 자기 터널 접합들의 각각의 자유 자성체는 상기 제1 도전 패턴 각각에 인접하여 주기적으로 배치되고,상기 자기 터널 접합의 고정 자성체에 각각 연결되는 제1 선택 트렌지스터;상기 제1 도전 패턴의 일단에 각각 연결되는 제2 선택 트렌지스터;상기 제1 방향으로 배열된 제1 선택 트렌지스터의 소오스/드레인에 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 패턴;상기 제1 방향으로 배열된 제1 도전 패턴의 타단을 각각 연결하고 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 도전 패턴;상기 제1 방향으로 배열된 제2 선택 트렌지스터의 소오스/드레인을 각각 연결하고 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 도전 패턴; 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 제1 선택 트렌지스터의 게이트를 각각 연결하고 상기 제2 방향으로 연장되는 제5 도전 패턴; 및상기 제2 방향으로 배열된 제2 선택 트렌지스터의 게이트를 각각 연결하고 상기 제2 방향으로 연장되는 제6 도전 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
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1 EP03312841 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP06393735 JP 일본 FAMILY
3 JP30067701 JP 일본 FAMILY
4 US10693058 US 미국 FAMILY
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2 JP2018067701 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6393735 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US10693058 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2018114898 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 미래소재디스커버리 사업 설계기반 Spin-Orbitroncic 소재 개발