맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

GaN계 반도체층 성장용 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029948
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 GaN계 반도체층 성장용 기판은, GaN계 반도체층 성장용 기판은, 상기 성장용 기판의 일면으로서, 상기 GaN계 반도체층의 성장에 제공되는 성장 면; 상기 성장 면의 일부 영역으로서, 표면의 결정면이 c면(0001)으로 구비되며, 상기 GaN계 반도체층의 성장이 이루어지는 복수의 성장 영역; 및 상기 성장 면 중 상기 복수의 성장 영역을 제외한 영역으로서, 상기 GaN계 반도체층의 성장이 이루어지지 않는 복수의 비성장 영역;을 포함하며, 상기 복수의 비성장 영역은, 각각 상기 성장 면의 일단과 타단을 연결하는 모양으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020170035050 (2017.03.21)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1873568-0000 (2018.06.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.21)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0276768-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0901728-90
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0199250-32
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0199393-52
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0421955-56
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
GaN계 반도체층 성장용 기판의 제조방법에 있어서,상기 GaN계 반도체층이 성장되는 성장 면의 결정면이 c면(0001)인 사파이어 기판으로 마련되되, 상기 성장 면에 대해 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정이 이루어지지 않은 사파이어 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 성장 면에 설정된 식각용 마스크 물질을 도포하여 스트라이프(stripe) 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계;상기 스트라이프 패턴을 마스크로 하여 상기 성장 면을 식각하여 요철 형상의 단면이 형성되도록 식각하는 식각 단계;상기 식각 단계를 거친 상기 성장 면으로부터 상기 설정된 식각용 마스크 물질을 제거하는 마스크 제거 단계; 및상기 마스크 제거 단계에 의해 노출된 상기 성장 면의 최상 면에 대해 상기 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정을 진행하여 상기 GaN계 반도체층의 성장이 이루어지는 성장 영역을 형성하는 성장 영역 형성 단계;를 포함하는 GaN계 반도체층 성장용 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.