| 1 |
1
a) 기판에 분리층을 형성하고, 상기 분리층에 3-5족 광소자용 에피 박막을 형성하는 단계;b) 상기 3-5족 광소자용 에피 박막에 제1접착제를 코팅하는 단계;c) 상기 제1접착제에 플렉서블 필름을 접착하는 단계;d) 상기 플렉서블 필름의 장력(tension) 및 상기 기판의 중력을 이용하여 상기 분리층을 에칭하여 상기 3-5족 광소자용 에피 박막으로부터 상기 기판을 이탈시키는 단계;e) 상기 분리층 및 상기 기판이 제거된 상기 3-5족 광소자용 에피 박막으로 서로 분리된 다수의 광소자를 형성하는 단계;f) 상기 다수의 광소자에 제2접착제로 서포터(supporter)를 접착하는 단계;g) 상기 3-5족 광소자용 에피 박막을 제1접착제로부터 이탈시키는 단계; 및h) 상기 다수의 광소자 각각을 상기 서포터로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 필름의 장력 및 상기 기판의 중력을 이용하여 상기 분리층을 에칭하는 것은,상기 플렉서블 필름이 일정한 곡면을 가지도록 상기 분리층의 에칭용액이 담겨져 있는 용기에 상기 플렉서블 필름을 고정시키고 상기 플렉서블 필름에 장착된 3-5족 광소자용 에피 박막이 형성된 기판을 상기 에칭용액에 담가서, 상기 분리층을 에칭용액으로 에칭시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 a)단계에서, 상기 3-5족 광소자용 에피 박막은 상기 분리층에 3-5족 화합물 반도체를 기반으로 하는 N-클래드층, 활성층, P-클래드층을 순차적으로 적층하고, 상기 P-클래드층에 P-전극을 형성하는 것이며, 상기 e)단계에서, 상기 다수의 광소자 각각은 N-클래드층, 활성층, P-클래드층의 적층 구조물; 상기 P-클래드층에 형성된 P-전극; 상기 N-클래드층에 형성된 N-전극; 상기 적층 구조물 외주면에 형성된 유전체막; 상기 N-전극에 형성된 반사막; 및 상기 반사막에 형성된 본딩전극;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 3 |
3
a) 기판에 분리층을 형성하고, 상기 분리층에 3-5족 광소자용 에피 박막을 형성하고 상기 3-5족 광소자용 에피 박막으로 다수의 광소자를 형성하는 단계;b) 상기 다수의 광소자에 플렉서블 필름을 제1접착제로 접착하는 단계;c) 상기 플렉서블 필름의 장력 및 상기 기판의 중력을 이용하여 상기 분리층을 에칭하여 상기 다수의 광소자로부터 상기 기판을 이탈시키는 단계; 및d) 상기 제1접착제와 상기 다수의 광소자 사이의 접착력 또는 결합력을 약화시켜 상기 다수의 광소자를 이탈시키는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 필름의 장력 및 상기 기판의 중력을 이용하여 상기 분리층을 에칭하는 것은,상기 플렉서블 필름이 일정한 곡면을 가지도록 상기 분리층의 에칭용액이 담겨져 있는 용기에 상기 플렉서블 필름을 고정시키고 상기 플렉서블 필름에 장착된 3-5족 광소자용 에피 박막이 형성된 기판을 상기 에칭용액에 담가서, 상기 분리층을 에칭용액으로 에칭시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 a)단계에서, 상기 분리층에 형성된 다수의 광소자 각각은 N-클래드층, 활성층, P-클래드층의 적층 구조물; 상기 P-클래드층에 형성된 P-전극; 상기 적층 구조물 외주면에 형성된 유전체막; 상기 P-전극에 형성된 반사막; 및 상기 반사막에 형성된 본딩전극;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 5 |
5
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1접착제는 UV접착제, 왁스, 파라핀, 포토레지스트, 금속, 폴리이미드 중 하나인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 6 |
6
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 플렉서블 필름은 테프론 필름, PET 필름, 캡톤(Capton) 필름 중 하나인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 플렉서블 필름의 두께는 10 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 기판에 소정 무게를 가지는 보강재가 장착된 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 분리층은 AlAs 또는 GaInP인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 분리층이 AlAs인 경우 상기 에칭용액은 HF계 에칭 용액이고,상기 분리층이 GaInP인 경우 상기 에칭용액은 HCl계 에칭 용액인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
| 12 |
12
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 3-5족 광소자용 에피 박막이 AlGaInP 계열인 경우 상기 분리층은 AlAs이고, 상기 3-5족 광소자용 에피 박막이 InGaAs 계열인 경우 상기 분리층은 GaInP인 것을 특징으로 하는 3-5족 화합물 반도체 기반 광소자 제조방법
|
