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호스트에서 비휘발성 메모리에 대한 쓰기 요청이 발생하는 경우 쓰기 요청된 주소를 출력하는 미디어 제어기; 및상기 쓰기 요청된 주소에 대한 메타 정보를 저장하는 스택, 일정한 주기마다 상기 비휘발성 메모리의 주소를 길이가 가변되는 영역으로 나누어 관리하는 영역 정보 저장부, 상기 일정한 주기마다 상기 스택과 상기 영역 정보 저장부를 갱신하여 상기 비휘발성 메모리의 주소가 쓰기 요청이 일정 수준 이하로 수행되는 콜드 주소인지를 탐지하는 콜드 주소 탐지부를 포함하는 콜드 주소 관리부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 콜드 주소 관리부는 상기 콜드 주소를 저장하는 콜드 주소 저장부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 페이지 단위로 쓰기 동작을 수행하고, 상기 영역은 다수의 페이지에 연관되며, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 일정한 주기마다 상기 영역에 대한 영역 정보와 상기 메타 정보를 참조하여 하나의 영역에 연관된 페이지 개수를 증가시키거나 감소시키도록 상기 영역 정보 저장부를 갱신하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 스택은 비어있는 상태로 초기화되는 반도체 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 스택은 영역 번호 필드, 상기 영역 번호에 대한 쓰기 요청 횟수에 따라 증가하는 히트 카운트를 저장하는 히트 카운트 필드, 상기 영역 번호에 대한 쓰기 요청 횟수에 따라 증가하고 상기 영역 번호가 아닌 다른 영역 번호에 대한 쓰기 요청 횟수에 따라 감소하는 주파수 카운트 필드를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 영역 정보 저장부는 상기 비휘발성 메모리의 전체 주소가 연관되도록 설정된 다수의 영역 정보를 저장하도록 초기화되는 반도체 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 영역 정보 저장부는 제 1 데이터 구조체와 제 2 데이터 구조체를 포함하되, 상기 제 1 데이터 구조체는 메모리 공간이 미리 할당된 데이터 구조를 포함하고 상기 제 2 데이터 구조체는 상기 제 1 데이터 구조체에 정보가 저장된 영역에 연관된 영역의 생성 및 소멸에 따라 길이가 가변되는 데이터 구조를 포함하는 반도체 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 제 1 데이터 구조체는 각각 어느 하나의 영역에 연관된 다수의 영역 정보를 저장하되, 상기 제 1 데이터 구조체는 상기 비휘발성 메모리의 전체 주소와 연관되도록 초기화되는 반도체 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 다수의 영역 정보 각각은 대응하는 영역에 연관된 상기 비휘발성 메모리의 주소를 식별할 수 있는 정보, 상기 대응하는 영역의 속성을 나타내는 상태 및 상기 대응하는 영역에 연관된 다른 영역의 주소를 나타내는 포인터를 포함하는 반도체 장치
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청구항 9에 있어서, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 일정한 주기마다 상기 스택을 참조하여 상기 다수의 영역 정보의 상태 값을 갱신하는 반도체 장치
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청구항 10에 있어서, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 일정한 주기마다 상기 상태 값을 참조하여 상기 영역 정보 저장부에 저장된 인접한 영역 정보를 머지하거나 어느 하나의 영역 정보를 스플릿하는 반도체 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 인접한 영역 정보 모두의 상태값이 최대치의 콜드 상태를 나타내는 경우 상기 인접한 영역 정보를 머지하는 반도체 장치
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청구항 12에 있어서, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 어느 하나의 영역 정보의 상태값이 최저치의 콜드 상태를 나타내는 경우 상기 어느 하나의 영역 정보를 두 영역 정보로 스플릿하는 반도체 장치
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청구항 10에 있어서, 상기 콜드 주소 탐지부는 상기 일정한 주기마다 상기 상태 값이 최대치의 콜드 상태를 나타내는 영역 정보를 탐지하고 상기 영역 정보에 연관된 상기 비휘발성 메모리의 주소를 상기 콜드 주소로 저장하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 콜드 주소를 이용하여 상기 비휘발성 메모리에 대한 웨어 레벨 동작을 제어하는 웨어 레벨 제어기를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 15에 있어서, 상기 비휘발성 메모리에 대한 논리 주소와 물리 주소를 저장하는 맵핑 테이블을 더 포함하되, 상기 웨어 레벨 제어기는 상기 콜드 주소를 이용하여 상기 맵핑 테이블의 맵핑 관계를 변경하여 상기 웨어 레벨 동작을 제어하는 반도체 장치
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청구항 15에 있어서, 상기 비휘발성 메모리에서 쓰기 요청이 집중되는 핫 주소를 탐지하여 저장하는 핫 주소 관리부를 더 포함하고, 상기 웨어 레벨 제어기는 상기 핫 주소 관리부에서 제공되는 핫 주소와 상기 콜드 주소 관리부에서 제공되는 콜드 주소를 이용하여 상기 웨어 레벨 동작을 제어하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 콜드 주소에 대해서 상기 비휘발성 메모리의 데이터를 스크러빙하는 스크러빙 제어기를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 18에 있어서, 상기 스크러빙 제어기는 상기 콜드 주소에 대응하는 상기 비휘발성 메모리의 데이터를 읽고 쓰도록 상기 미디어 제어기를 제어하는 반도체 장치
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청구항 18에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 상기 일정한 주기마다 수행되며 상기 일정한 주기는 상기 비휘발성 메모리의 데이터가 드리프트 되어 손상되기 까지의 시간보다 더 짧게 설정되는 반도체 장치
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