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용매에 용해된 인듐 산화물 전구체, 아연 산화물 전구체 및 리튬 산화물 전구체를 포함하고;상기 인듐 산화물 전구체와 상기 아연 산화물 전구체는 인듐 원자와 아연 원자의 몰 수를 기준으로 75 : 25 내지 80 : 20의 몰 비로 포함되고;상기 리튬 산화물 전구체는 리튬 원자의 몰 수를 기준으로 상기 인듐 산화물 전구체와 상기 아연 산화물 전구체에 포함된 인듐 원자과 아연 원자의 총 몰 수 대비 20 내지 30 몰%로 포함되는,금속 산화물 박막용 용액 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 산화물 전구체 및 상기 아연 산화물 전구체에 포함된 인듐 원자와 아연 원자의 총 몰 수는 0
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 산화물 전구체, 상기 아연 산화물 전구체 및 상기 리튬 산화물 전구체에 포함된 인듐 원자, 아연 원자 및 리튬 원자의 총 몰 수는 0
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 산화물 전구체는 인듐 아세테이트(indium acetate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(indium acetate hydrate), 인듐 아세틸아세토네이트(indium acetylacetonate), 인듐 부톡사이드(indium butoxide), 인듐 클로라이드(indium chloride), 인듐 클로라이드 하이드레이트(indium chloride hydrate), 인듐 클로라이드 테트라하이드레이트(indium chloride tetrahydrate), 인듐 플로라이드(indium fluoride), 인듐 하이드록사이드(indium hydroxide), 인듐 아이오다이드(indium iodide), 인듐 나이트레이트(indium nitrate), 인듐 나이트레이트 하이드레이트(indium nitrate hydrate), 인듐 설페이트(indium sulfate), 인듐 설페이트 하이드레이트(indium sulfate hydrate), 및 인듐 옥사이드(indium oxide)로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 인듐 화합물을 포함하는, 금속 산화물 박막용 용액 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 아연 산화물 전구체는 징크 아세테이트(zinc acetate), 징크 아세테이트 다이하이드레이트(zinc acetate dihydrate), 징크 아세틸아세토네이트 하이드레이트(zinc acetylacetonate hydrate), 징크 클로라이드(zinc chloride), 징크 플로라이드(zinc fluoride), 징크 나이트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate), 징크 카보네이트(zinc carbonate), 및 징크 설페이트(zinc sulfate)로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 아연 화합물을 포함하는, 금속 산화물 박막용 용액 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 리튬 산화물 전구체는 리튬 나이트레이트(lithium nitrate), 리튬 아세테이트 다이하이드레이트(lithium acetate dihydrate), 및 리튬 클로라이드(lithium chloride)로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 리튬 화합물을 포함하는, 금속 산화물 박막용 용액 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 이소프로판올(isopropanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 1-메톡시 2-프로판올(1-methoxy-2-propanol), N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane), 및 아세토니트릴(acetonitrile)로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 화합물을 포함하는, 금속 산화물 박막용 용액 조성물
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제 1 항에 따른 금속 산화물 박막용 용액 조성물을 준비하는 단계;상기 금속 산화물 박막용 용액 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는, 금속 산화물 박막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 열처리는 100 내지 400 ℃의 온도 하에서 수행되는, 금속 산화물 박막의 제조 방법
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