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1
복수개의 화소들; 및상기 복수개의 화소들 각각에 제공된 발광 소자를 포함하되,상기 발광 소자는, 그의 바닥면 및 그의 측벽 상에 순차적으로 적층된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고,상기 발광 소자의 상기 측벽은 제1 면 및 상기 제1 면에 인접하는 제2 면을 포함하며,상기 제1 면은 (n -n 0 k) 결정면이고, 상기 n 및 k는 각각 1 이상의 정수이며,상기 제2 면은 상기 제1 면과 다른 밀러 지수를 갖는 결정면이고,상기 바닥면과 상기 제1 면이 이루는 각도는 제1 각도이고, 상기 바닥면과 상기 제2 면이 이루는 각도는 제2 각도이며, 상기 제1 각도와 상기 제2 각도는 서로 다르고,상기 제1 면과 상기 제2 면은 서로 만나서 모서리를 정의하며,상기 모서리는 상기 바닥면으로부터 상기 발광 소자의 상면으로 연장되는 표시 장치
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2
제1항에 있어서,상기 제1 각도는 상기 제2 각도보다 작은 표시 장치
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3
제1항에 있어서,상기 발광 소자의 상기 측벽은 상기 제2 면에 인접하는 제3 면을 더 포함하고,상기 제2 면은 상기 제1 면과 상기 제3 면 사이에 개재되며,상기 제1 각도는 상기 바닥면과 상기 제3 면이 이루는 제3 각도와 다른 표시 장치
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4
제1항에 있어서,상기 발광 소자는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치
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5
제1항에 있어서,상기 발광 소자의 상기 바닥면에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 발광 소자의 상기 상면에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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6
제1항에 있어서,상기 발광 소자의 상기 바닥면에 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 발광 소자를 관통하여 상기 발광 소자의 상기 제2 반도체층과 접속하는 콘택 플러그; 및상기 콘택 플러그에 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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7
제1항에 있어서,상기 측벽 상의 반사 패턴 및 상기 바닥면 상의 연결 패턴을 포함하는 도전 구조체; 및상기 측벽과 상기 반사 패턴 사이에 개재된 절연 패턴을 더 포함하는 표시 장치
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8
복수개의 화소들;상기 복수개의 화소들 각각에 제공된 발광 소자; 및상기 발광 소자의 측벽 상의 반사 패턴 및 상기 발광 소자의 바닥면 상의 연결 패턴을 포함하는 도전 구조체를 포함하되,상기 발광 소자는, 상기 바닥면 및 상기 측벽 상에 순차적으로 적층된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고,상기 반사 패턴은 상기 측벽과 이격되고,상기 연결 패턴은, 상기 바닥면 상의 상기 제1 반도체층과 전기적으로 연결되며,상기 발광 소자의 상기 측벽은 제1 면 및 상기 제1 면에 인접하는 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 (n -n 0 k) 결정면이고, 상기 n 및 k는 각각 1 이상의 정수이며,상기 제2 면은 상기 제1 면과 다른 밀러 지수를 갖는 결정면이고,상기 바닥면과 상기 제1 면이 이루는 제1 각도는, 상기 바닥면과 상기 제2 면이 이루는 제2 각도와 다른 표시 장치
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9
제8항에 있어서,상기 제1 면과 상기 제2 면은 서로 만나서 모서리를 정의하는 표시 장치
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제9항에 있어서,상기 제1 각도는 상기 제2 각도보다 작은 표시 장치
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11
제8항에 있어서,상기 측벽과 상기 반사 패턴 사이에 개재된 절연 패턴을 더 포함하되,상기 반사 패턴은 상기 절연 패턴에 의해 상기 측벽과 이격되는 표시 장치
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12
제8항에 있어서,상기 발광 소자는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치
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13
제8항에 있어서,상기 연결 패턴을 통하여, 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 발광 소자의 상면에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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14
제8항에 있어서,상기 연결 패턴을 통하여, 상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 발광 소자를 관통하여 상기 발광 소자의 상기 제2 반도체층과 접속하는 콘택 플러그; 및상기 콘택 플러그에 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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15
베이스층 상의 복수개의 화소들; 및상기 복수개의 화소들 각각에 제공된 발광 소자를 포함하되,상기 발광 소자는, 순차적으로 적층된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고,상기 발광 소자의 제1 방향으로의 폭은 상기 베이스층으로부터 멀어질수록 증가하며,상기 발광 소자의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로의 폭은, 상기 베이스층으로부터 멀어지더라도 일정하게 유지되고,상기 발광 소자의 측벽은 제1 면 및 상기 제1 면에 인접하는 제2 면을 포함하고,상기 제1 면은 (n -n 0 k) 결정면이고, 상기 n 및 k는 각각 1 이상의 정수이며,상기 제2 면은 상기 제1 면과 다른 밀러 지수를 갖는 결정면이고,상기 발광 소자의 바닥면과 상기 제1 면이 이루는 제1 각도는, 상기 바닥면과 상기 제2 면이 이루는 제2 각도와 다른 표시 장치
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16
제15항에 있어서,상기 발광 소자의 측벽 상의 반사 패턴을 더 포함하되,상기 활성층은, 상기 제1 반도체층을 사이에 두고 상기 반사 패턴과 이격되는 표시 장치
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17
제15항에 있어서,상기 제1 각도는, 상기 제2 각도보다 작은 표시 장치
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제15항에 있어서,상기 발광 소자는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치
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19
제15항에 있어서,상기 발광 소자의 바닥면에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 발광 소자의 상면에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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20
제15항에 있어서,상기 발광 소자의 바닥면에 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 발광 소자를 관통하여 상기 발광 소자의 상기 제2 반도체층과 접속하는 콘택 플러그; 및상기 콘택 플러그에 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 표시 장치
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