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기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 상에 형성되는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 산화물 반도체층;상기 형성된 산화물 반도체층 상에 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 적층하고, 상기 적층된 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 패터닝하여 소스 전극과 드레인 전극이 서로 이격 되도록 형성되는 소스 및 드레인 전극; 및상기 형성된 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하고,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)에 기반하여 상기 형성된 산화물 반도체층으로 상기 메탈 전극의 메탈이 확산되는 것을 방지하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT) 상에 상기 메탈 전극이 적층되어 형성되는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 메탈 전극을 형성하는 몰리브덴(molybdenum, Mo)이 상기 산화물 반도체층으로 접촉(contact)할 시, 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)에 의해 접촉(contact) 저항을 제어(control)하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)가 400도 이상의 온도에서 상기 메탈 전극을 형성하는 몰리브덴(molybdenum, Mo)이 산화물 반도체층으로 확산되는 것을 방지하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)가 2nm 내지 150nm의 두께로 형성되는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 형성된 패시베이션층 상에 제2 게이트 전극을 더 포함하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 제2 게이트 전극은 상기 소스 및 드레인 전극으로부터 수평 방향으로 -1 ㎛ 내지 3 ㎛ 만큼 이격 되도록 형성되는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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8
제7항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극을 전기적으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압이 인가되는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 제1 게이트 전극은 상기 산화물 반도체층 상에 형성된 상기 소스 및 드레인 전극으로부터 수평 방향으로 -1 ㎛ 내지 3 ㎛ 만큼 이격 되도록 형성되는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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기판 상에 형성된 산화물 반도체층, 상기 산화물 반도체층 상에 형성된 제1 게이트 전극 및 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 적층하고, 상기 적층된 나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 패터닝하여 소스 전극과 드레인 전극이 서로 이격 되도록 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 코플라나(Coplanar)형 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)에 기반하여 상기 형성된 산화물 반도체층으로 상기 메탈 전극의 메탈이 확산되는 것을 방지하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제11항에 있어서,상기 산화물 반도체층 하부에 제2 게이트 전극을 더 포함하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
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기판; 상기 기판 상에 형성된 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터; 및 상기 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 포함하는 디스플레이 장치
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제13항에 있어서,상기 디스플레이 소자는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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상기 기판 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 형성된 산화물 반도체층 상에 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 적층하는 단계;상기 적층된 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)와 메탈 전극을 패터닝하여 소스 전극과 드레인 전극이 서로 이격 되도록 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 형성된 소스 및 드레인 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)에 기반하여 상기 형성된 산화물 반도체층으로 상기 메탈 전극의 메탈이 확산되는 것을 방지하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 패시베이션층 상에 제2 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT) 상에 상기 메탈 전극이 적층되어 형성되고, 상기 메탈 전극을 형성하는 몰리브덴(molybdenum, Mo)이 상기 산화물 반도체층으로 접촉(contact)할 시, 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)에 의해 접촉(contact) 저항을 제어(control)하며, 상기 카본나노튜브(carbon nano tube, CNT)가 400도 이상의 온도에서 상기 몰리브덴(molybdenum, Mo)이 산화물 반도체층으로 확산되는 것을 방지하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
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