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양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 있어서,상기 정공 주입층은 하기 화학식 1로 표시되는 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 p형 산화물 반도체는 열처리 또는 자외선/오존 처리되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 열처리는 150 ℃ 내지 250 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 열처리는 10분 내지 90분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 자외선/오존 처리는 0분 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 정공 주입층은 하기 화학식 1로 표시되는 p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 p형 산화물 반도체는Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);상기 전구체 용액을 상기 양극이 형성된 상기 기판 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 용매는 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 에틸렌 글리콜에 아세토나이트릴, DI water, 알코올, 사이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene) 및 유기 용매 중 적어도 어느 하나와 5 내지 50 부피 퍼센트로 혼합되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 p형 산화물 반도체는 열처리 또는 자외선/오존 처리되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리는 150 ℃ 내지 250 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리는 10분 내지 90분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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제9항에 있어서상기 자외선/오존 처리는 0분 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드 제조 방법
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