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기판 표면의 적어도 일부 영역에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및상기 자기조립단분자막이 형성된 영역 상에 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 주석 칼코게나이드 2차원 박막을 형성하는 단계는 기판의 온도가 90℃ 내지 300℃의 범위에서 수행되는,주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계 전에 상기 기판의 표면이 적어도 일부 영역에 작용기를 흡착시키는 단계가 수행되는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 2 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는,상기 자기조립단분자막이 상기 기판에 흡착된 작용기를 치환하면서 형성되는 단계를 포함하는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는,기상의 상기 자기조립단분자막의 전구체를 상기 기판의 표면에 공급하는 단계를 포함하는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는,상기 자기조립단분자막의 전구체를 이용한 스핀코팅으로 형성하는 단계를 포함하는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 주석 칼코게나이드는 황화주석(II)을 포함하는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 6 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막을 형성하는 단계는,Hexamethyldisilazane([CH3]3Si]2NH, HMDS), Octadecyltrichlorosilane(CH3[CH2]17SiCl3, ODTS) 및 acetylacetone (C5H8O2, Acac) 중 어느 하나를 이용하여 형성하는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 7 항에 있어서,상기 황화주석(II)은 화학적 기상 증착법에 의해 증착되는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 8 항에 있어서,상기 화학적 기상 증착법은 LPCVD(low pressure CVD), PECVD(plasma enhanced CVD), APCVD(atmosphere pressure CVD), ALD(atomic layer deposition) 및 PEALD(plasma enhanced ALD) 중 하나인, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 9 항에 있어서,황의 전구체로 황화수소를 사용하고, 주석 전구체로는 주석의 산화가가 +2인 금속유기화합물인, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 10 항에 있어서,상기 주석 전구체로는 Bis(1-dimethylamino-2-methyl-2-proxy)tin(II)를 사용하는,주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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제 6 항에 있어서,상기 황화주석(II)는 사방정계 결정구조를 가지는, 주석 칼코게나이드 2차원 박막 형성방법
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