| 1 |
1
기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부의 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 형성되는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층의 일부와 연결 형성되는 p-형 전극층; 을 포함하고,상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 발광 구조체를 하나 이상 포함하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고상기 복수 개의 구분되는 영역들은 반복적으로 배열되어 행과 열을 이루는 매트릭스(matrix)구조를 형성하고, 서로 간의 전기적 단절의 형성이 가능하고,상기 복수 개의 구분되는 영역들의 행 간에 형성되고, 상기 구분되는 영역들의 행 간의 전기적 절연을 형성하는 전류 차단층(passivation layer);을 더 포함하고,상기 전류 차단층은, 상기 n-형 반도체층을 관통하여 상기 기판까지 연장 형성되는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 n-형 전극층은 상기 복수 개의 구분되는 영역들의 행마다 하나씩 구비되는 것이고,상기 p-형 전극층은, 상기 복수 개의 구분되는 영역들의 열마다 하나씩 구비되는 것인, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 p-형 전극층은, 같은 열에 형성된 상기 구분되는 영역들 각각의 적어도 일부를 동시에 덮도록 형성되고, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) 및 탄소나노튜브(CNT)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 투명 전극; 및 상기 투명 전극의 일부에 연결 형성되는 금속 패드 전극;을 포함하는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 n-형 전극층은 n-형 반도체층 상에 형성되는 개구 패턴을 포함하는 마스크층 상에 형성되고, 상기 마스크층을 관통하여 상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 기판은 절연체층을 포함하는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 p형 반도체층의 두께는, 10 nm 내지 10 ㎛ 인 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 9 |
9
기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층;상기 n-형 반도체층의 적어도 일부의 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층;상기 발광 구조체층 상에 형성되는 p-형 반도체층; 및상기 p-형 반도체층의 일부와 연결 형성되는 p-형 전극층;을 포함하고,상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 발광 구조체를 하나 이상 포함하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고상기 복수 개의 구분되는 영역들은 반복적으로 배열되어 행과 열을 이루는 매트릭스(matrix)구조를 형성하고, 서로 간의 전기적 단절의 형성이 가능하고,상기 발광 구조체층은, In 및 Ga을 포함하는 활성층이 상부에 형성되고,상기 구분되는 영역들은, 상기 발광 구조체 간의 중심 간의 간격, 밀도 중 하나 이상이 서로 상이하여 상기 활성층 내의 In-마이그레이션(migration) 정도가 상이하게 형성되고, 상기 구분되는 영역들은, 상기 활성층 내의 Ga 대비 In의 평균 농도, 상기 활성층의 평균 두께, 또는 둘 모두가 서로 상이한 것인, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부의 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 형성되는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층의 일부와 연결 형성되는 p-형 전극층; 을 포함하고,상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 발광 구조체를 하나 이상 포함하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고상기 복수 개의 구분되는 영역들은 반복적으로 배열되어 행과 열을 이루는 매트릭스(matrix)구조를 형성하고, 서로 간의 전기적 단절의 형성이 가능하고,상기 복수 개의 구분되는 영역들의 행 간에 형성되고, 상기 구분되는 영역들의 행 간의 전기적 절연을 형성하는 전류 차단층(passivation layer);을 더 포함하고,상기 구분되는 영역들 각각의 발광 구조체들은 높이, 크기, 또는 간격 중 하나 이상이 서로 상이한 것이고,상기 발광 구조체층의 구분되는 영역들은, 상기 발광 구조체의 높이가 높을수록 간격이 클수록더 장파장의 빛을 발하는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 13 |
13
제1항, 제9항 또는 제12항에 있어서,상기 발광 구조체층은 적어도 셋 이상의 상기 구분되는 영역들을 포함하고,상기 셋 이상의 구분되는 영역들 각각은, 일정한 주기 패턴을 가지고 상기 매트릭스 구조에 배열되는 것인, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 14 |
14
제1항, 제9항 또는 제12항에 있어서,상기 발광 구조체는 높이가 50 nm 내지 50 ㎛ 인 것이고,상기 구분되는 영역들 각각의 면적은 1 ㎛2 내지 1 cm2 인 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 15 |
15
제1항, 제9항 또는 제12항에 있어서,상기 발광 구조체는, 원뿔; 다각형뿔; 원기둥; 다각형 기둥; 원형의 링; 다각형의 링; 반구; 평평한 상부를 갖도록 끝이 잘린 형태의 원뿔, 다각형뿔, 원형의 링 및 다각형의 링 형태; 및 실리던 형태의 중공 함몰부를 포함하는 원뿔, 다각형뿔 및 다각형 기둥; 및 라인(line) 형태의 기둥; 의 구조체들로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자
|
| 16 |
16
절연 소재를 포함하는 준비된 기판 상에 n-형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n-형 반도체층 상의 일부 영역에 마스크층 및 발광 구조체층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분된 영역들 사이에 전류 차단층을 형성하는 단계;상기 n-형 반도체층과 연결되는 n-형 전극층 및 상기 발광 구조체층 상에 형성되는 p-형 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 발광 구조체층은, 복수 개의 발광 구조체들을 포함하며, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 발광 구조체들을 포함하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고, 상기 복수 개의 구분되는 영역들은 반복적으로 배열되어 행과 열을 이루는 매트릭스(matrix)구조를 형성하고,상기 전류 차단층을 형성하는 단계는,상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분된 영역들 사이에 깊이 방향으로 홈을 형성하여, 상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분된 영역들이 인접한 영역들과 전기적 절연이 형성되도록 마스크층 및 n-형 반도체층을 에칭하는 단계;를 포함하고,상기 홈은, 상기 마스크층 및 상기 n-형 반도체층을 관통하여 상기 기판층까지 형성되는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 전류 차단층을 형성하는 단계는,상기 깊이 방향으로 형성된 홈에 Al203, TiO2, TiN, SiCx, Si0x, SixNy, SiOxNy 및 HSQ(Hydrogen silsesquioxane)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 전기적 절연 소재를 주입하는 단계; 를 포함하는,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 마스크층 및 발광 구조체층을 형성하는 단계는, 상기 n-형 반도체층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층에 각각 복수 개의 개구 패턴을 포함하되, 각각의 패턴이 서로 구분되는 복수 개의 구분되는 영역을 패터닝하는 단계;상기 개구 패턴을 통하여 개방된 n-형 반도체층 상에서 식각 또는 성장시켜 발광 구조체층을 형성하는 단계; 및상기 n-형 반도체층과 연결되는 n-형 전극층 및 상기 발광 구조체층 상에 형성되는 p-형 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,상기 개구 패턴은, 원형, 라인형 또는 다각형 형상으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 개구 패턴은, 형상, 깊이 및 중심 간의 간격 중 하나 이상이 서로 다른 복수 개의 구분되는 영역을 포함하거나 상기 개구 패턴은, 형상, 깊이 및 중심 간의 간격 중 하나 이상에 대한 둘 이상의 값, 형태 또는 이 둘이 서로 상이한 복수 개의 구분되는 영역을 포함하고, 상기 개구 패턴의 구분되는 영역에 따라, 상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분되는 영역들이 생성되는 것인, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 21 |
21
제16항에 있어서,상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분되는 영역들의 발광 구조체들은 동시에 성장하여 형성되는 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 22 |
22
제16항에 있어서,상기 발광 구조체층은, In 및 Ga을 포함하는 활성층이 상부에 형성된 것이고,상기 발광 구조체층을 형성하는 단계는, 900 ℃내지 1100 ℃및 50 torr 내지 500 torr에서 발광 구조체를 성장시키고, 500 ℃내지 850 ℃에서 활성층을 성장시키는 것인, 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
| 23 |
23
제18항에 있어서,상기 개구 패턴은, 50 nm 내지 50 ㎛의 직경을 갖고,상기 개구 패턴의 각각의 개구 간의 중심 간의 간격이 50 nm 내지 100 ㎛ 인 것인,패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED 소자의 제조방법
|
