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처리 공간을 형성하는 챔버;상기 챔버의 내측에 위치되어 공정이 수행될 기판을 지지하는 서셉터;상기 챔버의 상부에 위치되어, 상기 처리 공간을 차폐하는 덮개 부재; 및상기 덮개 부재의 외측면과 인접하게 위치되어, 상기 처리 공간으로 플라즈마 여기를 위한 에너지를 제공하는 안테나 유닛을 포함하되,상기 안테나 유닛은,도선으로 제공되어, 전원에 연결되는 메인 안테나;상기 메인 안테나와 인접하게 위치되는 공진 안테나; 및상기 공진 안테나의 일 지점에 위치되어, 상기 공진 안테나에 의해 형성되는 닫힌 회로의 임피던스가 조절되게 하는 상태 조절 유닛을 포함하되,상기 상태 조절 유닛은,상기 공진 안테나에 직렬로 연결되게 위치되는 공진 커패시터;상기 공진 안테나가 형성하는 닫힌 회로에 대해 병렬로 연결되는 임피던스 조절 부재; 및상기 임피던스 조절 부재가 상기 공진 안테나에 연결되는 경로상에 위치되는 스위치를 포함하는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 공진 커패시터의 커패시턴스는 다음 수식의 값을 갖는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 임피던스 조절 부재는 커패시터로 제공되되, 상기 임피던스 조절 부재의 커패시턴스는 상기 공진 커패시터의 커패시턴스를 초과한 값을 갖는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 임피던스 조절 부재의 커패시턴스는 상기 공진 커패시터의 커패시턴스의 2배 이상의 값을 갖는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 임피던스 조절 부재는 인덕터로 제공되는 기판 처리 장치
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기판 처리 장치에 제공되어, 플라즈마를 여기하는 에너지를 제공하는 안테나 유닛에 있어서,도선으로 제공되어, 전원에 연결되는 메인 안테나;닫힌 구조로, 상기 메인 안테나와 인접하게 위치되는 공진 안테나; 및상기 공진 안테나의 일 지점에 위치되어, 상기 공진 안테나에 의해 형성되는 닫힌 회로의 임피던스가 조절되게 하는 상태 조절 유닛을 포함하되,상기 상태 조절 유닛은,상기 공진 안테나에 직렬로 연결되게 위치되는 공진 커패시터;상기 공진 안테나가 형성하는 닫힌 회로에 대해 병렬로 연결되는 임피던스 조절 부재; 및상기 임피던스 조절 부재가 상기 공진 안테나에 연결되는 경로상에 위치되는 스위치를 포함하는 안테나 유닛
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제8항에 있어서, 상기 공진 커패시터의 커패시턴스는 다음 수식의 값을 갖는 안테나 유닛
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제8항 또는 제10항에 있어서,상기 임피던스 조절 부재는 커패시터로 제공되되, 상기 임피던스 조절 부재의 커패시턴스는 상기 공진 커패시터의 커패시턴스의 2배 이상의 값을 갖는 안테나 유닛
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제8항 또는 제10항에 있어서,상기 임피던스 조절 부재는 인덕터로 제공되는 안테나 유닛
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