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유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020007499
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자기판의 양면 상에 SiNx, SiOxNy, SiOx가 순차적으로 적층된 3중층 구조의 박막을 2회 반복 적층시키고, SiNx와 SiOx의 계면에 형성되는 SiOxNy의 물리적 특성을 강화시킴으로써 2x10-6g/m2/day 이하의 매우 우수한 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를 갖는 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기광전자소자의 봉지필름은 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 형성된 3중층 구조의 박막 적층체;를 포함하여 이루어지며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체는 SiNx 박막, SiOxNy 박막, SiOx 박막이 순차적으로 적층된 형태이며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체가 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 2번 반복하여 적층되며, 첫번째 박막 적층체의 SiOx 박막과 두번째 박막 적층체의 SiNx 박막 사이에 SiOxNy 박막이 더 구비되며, 봉지필름의 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10-6g/m2/day 이하인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01) H01L 51/448(2013.01)
출원번호/일자 1020180153881 (2018.12.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0067025 (2020.06.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020200071568;
심사청구여부/일자 Y (2018.12.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 서울특별시 성북구
2 임근용 서울특별시 성북구
3 최원준 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-1209970-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0118157-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0798847-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-1356931-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1356933-60
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0327441-76
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2020.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0606519-14
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0606378-62
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.06.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0606379-18
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0430132-67
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번호 청구항
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플렉서블 기판을 준비하는 제 1 단계; 플렉서블 기판 양면 각각에 SiNx 박막을 적층하는 제 2 단계; SiNx 박막 상에 SiO2 졸(sol)을 딥코팅하는 제 3 단계; 플렉서블 기판을 열처리하여 SiO2 졸을 SiOx 박막으로 변환시킴과 함께 SiNx 박막과 SiOx 박막의 계면에 SiOxNy 박막을 형성시키는 제 4 단계; 제 4 단계에 의해 형성된 SiOx 박막 상에 SiNx 박막을 적층함과 함께, SiNx 박막과 제 4 단계에 의해 형성된 SiOx 박막 사이에 SiOxNy 박막이 형성되는 제 5 단계; 제 5 단계에 의해 형성된 SiNx 박막 상에 SiO2 졸(sol)을 딥코팅하는 제 6 단계; 및 플렉서블 기판을 열처리하여 제 6 단계에 의해 형성된 SiO2 졸을 SiOx 박막으로 변환시킴과 함께 SiNx 박막과 SiOx 박막의 계면에 SiOxNy 박막을 형성시키는 제 7 단계;를 포함하여 이루어지며, 제조된 봉지필름의 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10-6g/m2/day 이하인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계 및 제 6 단계에서, SiO2 졸(sol)의 코팅두께는 85∼120nm인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 제 4 단계, 제 5 단계 및 제 7 단계에서, 형성된 SiOxNy 박막의 두께는 3∼8nm인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 4 단계 및 제 7 단계에서, 열처리온도는 110∼130℃이고, 열처리시간은 8∼12시간인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계 및 제 6 단계에서, SiO2 졸(sol)의 딥코팅시 인출속도(withdrawal speed)는 1∼3mm/s인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 제 4 단계, 제 5 단계 및 제 7 단계에서, SiNx 박막과 SiOx 박막의 계면에 SiNx과 SiOx의 고상확산에 의해 SiOxNy 박막이 형성되는 것을 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 2 단계 및 제 5 단계에서, PECVD공정에 의해 SiOx 박막 상에 SiNx 박막이 적층되며, PECVD공정 진행시 공정온도는 110∼130℃인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
11 11
제 4 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 고분자물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기광전자소자의 봉지필름 제조방법
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