1 |
1
금속 산질화물을 포함하는 유전 매트릭스; 및상기 유전 매트릭스에 분산된 그래핀 양자점을 포함하며,상기 그래핀 양자점의 함량은 0
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금속 산질화물은, 보론, 알루미늄, 금, 갈륨, 이트륨, 인듐, 스칸듐, 코발트, 이리듐, 루테늄, 크롬, 철, 지르코늄, 티타늄, 하프늄, 실리콘, 텅스텐, 세륨, 오스뮴, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨 또는 몰리브덴의 산질화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 금속 산질화물은, 보론 산질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 그래핀 양자점 복합체는 파우더 형태를 가지며, 평균 입경이 100㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체
|
6 |
6
금속 산질화물을 포함하는 유전 매트릭스; 및상기 유전 매트릭스에 분산된 그래핀 양자점을 포함하며,상기 그래핀 양자점 복합체 내에서 인접하는 그래핀 양자점들의 간격은 4nm 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 표면에 결합된 카르보닐기(C=O) 또는 히드록시기(-OH)를 갖는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체
|
8 |
8
그래핀 양자점, 질소 함유 수소화물 및 금속 수산화물을 포함하는 혼합 용액을 준비하는 단계; 및상기 질소 함유 수소화물과 상기 금속 수산화물을 반응시켜 금속 산질화물을 포함하며, 상기 그래핀 양자점들이 분산된 유전 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 질소 함유 수소화물은, C=O, C=S, C=Se 및 C≡N 중 적어도 하나의 결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
10 |
10
제9항에 있어서, 상기 질소 함유 수소화물은, 하이드로젠 시아나이드(Hydrogen cyanide), 소듐 시아나이드(Sodium cyanide), 포타슘 시아나이드(Potassium cyanide), 칼슘 시아나이드(Calcium cyanide), 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 소듐 니트로프루시에이트(Sodium nitroprussiate), 아세토니트릴(Acetonitrile), 시아노젠 클로라이드(Cyanogen chloride), 시아노젠 브로마이드(Cyanogen bromide), 시아노젠 플루오라이드(Cyanogen fluoride), 카르보닐디아민(Carbonyldiamine), 카르보닐디이미다졸(Carbonyldiimidazole), 카르바모일 포스페이트(Carbamoyl phosphate), 시안아마이드(Cyanamide), 소듐 디시안아마이드(Sodium dicyanamide), 말로노니트릴(Malononitrile), 발레로니트릴(Valeronitrile), 메틸 이소시아네이트(Methyl isocyanate), 메틸 시아노아크릴레이트(Methyl cyanoacrylate), 메틸 페로시아나이드(Methyl ferrocyanide), 에틸 이소시아네이트(Ethyl isocyanate), 에틸 시아노아크릴레이트(Ethyl cyanoacrylate), 에틸 페로시아나이드(Ethyl ferrocyanide), 프로필 이소시아네이트(Propyl isocyanate), 프로필 시아노아크릴레이트(Propyl cyanoacrylate), 프로필 페로시아나이드(Propyl ferrocyanide), 부틸 이소시아네이트(Butyl isocyanate), 부틸 시아노아크릴레이트(Butyl cyanoacrylate), 부틸 페로시아나이드(Butyl ferrocyanide), 펜틸 이소시아네이트(Pentyl isocyanate), 펜틸 시아노아크릴레이트(Pentyl cyanoacrylate), 펜틸 페로시아나이드(Pentyl ferrocyanide), 헥실 이소시아네이트(Hexyl isocyanate), 헥실 시아노아크릴레이트(Hexyl cyanoacrylate), 헥실 페로시아나이드(Hexyl ferrocyanide), 부틸 시아노아세테이트(Butyl cyanoacetate), 알릴 시아노아세테이트(Allyl cyanoacetate), 3-아미노크로톤니트릴(3-Aminocrotononitrile), 2-메틸부티론니트릴(2-Methylbutyronitrile), 2-메톡실 시아노아세테이트(2-Methoxyethyl cyanoacetate), 티오세미카르바자이드(Thiosemicarbazide), 디티오옥사아마이드(Dithiooxamide), 티오아세트아마이드(Thioacetamide), 에틸 티오옥사메이트(Ethyl thiooxamate), 2-메틸-2-티오세미카르바자이드(2-Methyl-3-thiosemicarbazide), 4-메틸-3-티오세미카르바자이드(4-Methyl-3-thiosemicarbazide), 2-시아노티오아세트아마이드(2-Cyanothioacetamide), 4,4-디메틸-3-티오세미카르바자이드(4,4-Dimethyl-3-thiosemicarbazide), 4-에틸-3-티오세미카르바자이드(4-Ethyl-3-thiosemicarbazide), 2-브로모티오벤자마이드(2-Bromothiobenzamide), 3-브로모티오벤자마이드(3-Bromothiobenzamide), 4-브로모티오벤자마이드(4-Bromothiobenzamide), 4-클로로티오벤자마이드(4-Chlorothiobenzamide), 티오벤자마이드(Thiobenzamide), 4-메틸벤젠티오아마이드(4-Methylbenzenethioamide), 셀레노우레아(Selenourea), 셀레노포름아마이드(Selenoformamide), 셀레노아세트아마이드(Selenoacetamide), 셀레노벤자마이드(Selenobenzamide) 및 요소(Urea)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
11 |
11
제8항에 있어서, 상기 금속 수산화물은, 보론 수산화물(Boron hydroxide), 알루미늄 수산화물(Aluminum hydroxide), 금 수산화물(Gold hydroxide), 갈륨 수산화물(Gallium hydroxide), 이트륨 수산화물(Yttrium hydroxide), 인듐 수산화물(Indium hydroxide), 스칸듐 수산화물(Scandium hydroxide), 코발트 수산화물(Cobalt hydroxide), 이리듐 수산화물(Iridium hydroxide), 루테늄 수산화물(Ruthenium hydroxide), 크롬 수산화물(Chromium hydroxide), 철 수산화물(Iron hydroxide), 지르코늄 수산화물(Zirconium hydroxide), 티타늄 수산화물(Titanium hydroxide), 하프늄 수산화물(Hafnium hydroxide), 실리콘 수산화물(Silicon hydroxide), 텅스텐 수산화물(Tungsten hydroxide), 세륨 수산화물(Cerium hydroxide), 오스뮴 수산화물(Osmium hydroxide), 바나듐 수산화물(Vanadium hydroxide), 니오븀 수산화물(Niobium hydroxide), 탄탈륨 수산화물(Tantalum hydroxide) 및 몰리브덴 수산화물(Molybdenum hydroxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
12 |
12
제8항에 있어서, 상기 질소 함유 수소화물과 상기 금속 수산화물을 반응시키는 단계는, 전자파 처리, 가열(heating), 진공 열처리(vacuum heating) 또는 건조(drying)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
13 |
13
제8항에 있어서, 상기 그래핀 양자점 복합체를 분쇄하여 평균 입경이 100㎛ 이하인 파우더를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 복합체의 제조 방법
|
14 |
14
하부 전극;상기 하부 전극과 이격된 상부 전극; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되며, 그래핀 양자점 복합체를 포함하는 발광층을 포함하고,상기 그래핀 양자점 복합체는,금속 산질화물을 포함하는 유전 매트릭스; 및상기 유전 매트릭스에 분산된 그래핀 양자점을 포함하며,상기 그래핀 양자점의 함량은 0
|
15 |
15
하부 전극;상기 하부 전극과 이격된 상부 전극; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되며, 그래핀 양자점 복합체를 포함하는 발광층을 포함하고,상기 그래핀 양자점 복합체는,금속 산질화물을 포함하는 유전 매트릭스; 및상기 유전 매트릭스에 분산된 그래핀 양자점을 포함하며,상기 금속 산질화물은, 보론 산질화물을 포함하고, 상기 그래핀 양자점 복합체 내에서 인접하는 그래핀 양자점들의 간격은 4nm 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자
|
16 |
16
제14항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극중 적어도 하나와 상기 발광층 사이에 배치되는 유전층을 더 포함하고, 상기 발광층은 교류 전계에 의해 발광하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자
|