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소정의 폭 및 높이를 가지는 적어도 하나의 채널이 형성된 몰드를 준비하는 단계;상기 몰드에 유기 고분자 전구체 및 유기 용매를 포함하는 유기 잉크를 제공하여, 상기 유기 잉크로 상기 몰드의 채널을 채우는 단계; 및상기 유기 용매와 동일한 유기 용매를 상기 몰드 주변에 제공한 상태에서, 상기 유기 잉크 내의 상기 유기 용매를 상기 몰드 주변으로 휘발시키고, 상기 유기 고분자 전구체를 자기 조립 및 결정화하여, 상기 채널 내에 단결정 상을 나타내는 유기 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에서, 상기 몰드 주변에 제공된 상기 유기 용매에 의하여, 상기 유기 고분자 전구체의 자기 조립 및 결정화 속도가 지연되는 유기 단결정의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계 이후에, 기판을 준비하는 단계; 및상기 몰드로 상기 기판을 덮어, 상기 기판 상에 상기 채널 내부의 상기 유기 단결정을 전사하는 단계를 더 포함하는 유기 단결정의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계는, 진공 분위기에서 어닐링하는 단계를 더 포함하는 유기 단결정의 제조 방법
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제1 항에 있어서,성장된 상기 유기 단결정의 백본 체인(backbone chain)은 상기 채널의 길이 방향과 평행한 것을 포함하는 유기 단결정의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 몰드를 준비하는 단계는,상기 유기 고분자 전구체의 종류에 따라 제한된 폭 및 높이를 가지는 상기 채널을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 고분자 전구체가 PCDTPT(poly[4-(4,4-dihexadecyl-4H-cyclopenta[1,2-b:5,4-b']-dithiophen-2-yl)-alt-[1,2,5]thiadiazolo-[3,4-c]pyridine])를 포함하는 경우, 상기 채널의 폭은 100 nm 이하이고, 높이는 200 nm 이하인 것을 포함하는 유기 단결정의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 몰드를 준비하는 단계, 및 상기 채널을 채우는 단계 사이에, 기판 상에 상기 유기 잉크를 제공하는 단계; 및상기 몰드로 상기 기판을 덮는 단계를 포함하는 유기 단결정의 제조 방법
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소정의 폭 및 높이를 가지는 적어도 하나의 채널이 형성된 몰드를 준비하는 단계;상기 몰드에 유기 고분자 전구체 및 유기 용매를 포함하는 유기 잉크를 제공하여, 상기 유기 잉크로 상기 몰드의 채널을 채우는 단계;상기 유기 용매와 동일한 유기 용매를 상기 몰드 주변에 제공한 상태에서, 상기 유기 잉크 내의 상기 유기 용매를 상기 몰드 주변으로 휘발시키고, 상기 유기 고분자 전구체를 자기 조립 및 결정화하여, 상기 채널 내에 단결정 상을 나타내는 유기 단결정으로 성장시키는 단계; 및 상기 유기 단결정과 전기적으로 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에서, 상기 몰드 주변에 제공된 상기 유기 용매에 의하여, 상기 유기 고분자 전구체의 자기 조립 및 결정화 속도가 지연되는 유기 트랜지스터의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에서, 제1 소정 시간 동안 제1 어닐링하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에, 제2 소정 시간 동안 제2 어닐링하는 단계를 더 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 몰드를 준비하는 단계는,상기 유기 고분자 전구체의 종류에 따라 제한된 폭 및 높이를 가지는 상기 채널을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 고분자 전구체가 PCDTPT를 포함하는 경우, 상기 채널의 폭은 100 nm 이하이고, 높이는 200 nm 이하인 것을 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법
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길이 방향으로 연장되되, 폭 100 nm 이하 및 높이 200 nm 이하의 채널 형상을 가지며, triclinic 구조의 단결정 상을 갖는 PCDTPT를 포함하는 유기 단결정
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제12 항에 있어서,상기 PCDTPT의 백본 체인은 상기 길이 방향과 평행한 것을 포함하는 유기 단결정
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제12 항에 있어서,상기 PCDTPT의 파이-파이 스태킹(π-π stacking)은 상기 길이 방향과 서로 다른 방향인 것을 포함하는 유기 단결정
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제12 항에 있어서,상기 유기 단결정은 높이 180 내지 200 nm의 채널 형상을 갖는 유기 단결정
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게이트 전극;상기 게이트 전극 일 측에 마련된 절연막;상기 절연막 일 측에 마련된 PCDTPT를 포함하는 액티브층; 및상기 액티브층에 전기적으로 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되,상기 액티브층은, 폭 100 nm 이하 및 높이 200 nm 이하의 적어도 하나의 채널형상을 가지고, triclinic 구조의 단결정 상을 나타내는 유기 트랜지스터
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제16 항에 있어서,상기 액티브층은 높이 180 내지 200 nm의 채널 형상을 갖는 유기 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 단결정은, 상기 채널들의 길이 방향과 서로 다른 방향의 파이-파이 스태킹을 포함하는 유기 트랜지스터
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