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보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계; 상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 카본류 전도성 물질, 고분자 물질 및 결합제와 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계; 및상기 제조된 슬러리를 전류집전체 상에 코팅 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계는, 보론이 도핑된 실리콘기판 상에 촉매에 의한 식각 방지를 위해 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴이 형성된 실리콘기판 상에 촉매층을 형성하는 단계; 상기 촉매층에 의한 촉매반응을 통해 상기 실리콘기판을 식각하여 실리콘 나노구조체를 형성하는 단계; 및 상기 형성된 실리콘 나노구조체를 상기 실리콘기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는, 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘기판의 보론 농도는 1016 내지 1014 atomscm-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘기판의 보론 도핑은 물리적 및 화학적 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 복수개의 도트(dot) 또는 링(ring) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 크롬(Cr) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 단계는 화학적 기상 증착(CVD) 또는 물리적 기상 증착(PVD)를 수행하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층은 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체를 형성하는 단계는 식각용액을 이용한 습식식각(wet etching)을 수행하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제9항에 있어서,상기 식각용액은 인산, 질산, 불산 또는 초산을 포함하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노구조체를 상기 실리콘기판으로부터 분리하는 단계는 상기 실리콘기판 상에 형성된 촉매층이 소실되지 않도록 상기 나노구조체의 바닥면으로부터 소정의 윗부분을 칼날로 깎아내어 분리하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 남아있는 촉매층을 이용하여 상기 실리콘 나노구조체를 형성하는 단계 및 상기 형성된 실리콘 나노구조체를 상기 실리콘 기판으로부터 분리하는 단계를 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체는 막대, 구형, 튜브 또는 박막 형상인 것을 특징으로 하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조되는 이차전지의 음극
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제14항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체의 보론 농도는 1016 내지 1014 atomscm-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극
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제14항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체는 막대, 구형, 튜브 또는 박막 형상인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 이차전지의 음극
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보론이 도핑된 실리콘기판을 식각하여 형성된 실리콘 나노구조체를 포함하는 이차전지의 음극;양극활물질을 포함하는 양극;상기 음극과 상기 양극의 물리적 접촉을 분리하는 분리막; 및상기 음극과 상기 양극을 이동하는 이온이 함유된 전해질; 을 포함하는 이차전지
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제17항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체의 보론 농도는 1016 내지 1014 atomscm-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지
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