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기판;상기 기판 상에서 제1 방향으로 서로 이격되게 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및M+N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 방향을 따라 연장된 하나 이상의 제1 영역 및 상기 제1 영역의 하부 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로부터 연장된 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역과 인접한 위치에서 상기 제1 방향으로 따라 연장된 하나 이상의 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 영역들의 상기 제1 방향에 따른 양쪽 단부 영역들은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 전기적으로 연결된 전이금속 디칼코게나이드 박막을 포함하는, 광전 소자
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 복수의 상기 제1 영역 및 복수의 상기 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 교대로 배치된 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제2항에 있어서,상기 제1 영역은 단일 분자층으로 이루어지고, 상기 제2 영역은 2 이상의 분자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제2항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 폭은 각각 독립적으로 1 nm 이상 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제2항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 형성된 헤테로접합을 10개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 M+N보다 작고 상기 N보다 큰 L개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어진 하나 이상의 제3 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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기판;상기 기판 상에서 제1 방향으로 서로 이격되게 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및M+N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 방향을 따라 연장된 하나 이상의 제1 영역 및 상기 제1 영역의 하부 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로부터 연장된 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역과 인접한 위치에서 상기 제1 방향으로 따라 연장된 하나 이상의 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 영역들의 상기 제1 방향에 따른 양쪽 단부 영역들은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 전기적으로 연결된 전이금속 디칼코게나이드 박막을 포함하고,상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 헤테로접합이 형성된 것을 특징으로 하는, 포토 다이오드
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게이트 전압이 인가되고 표면에 절연막을 구비하는 기판;상기 기판의 절연막 상에서 제1 방향으로 서로 이격되게 배치된 소스 전극과 드레인 전극; 및M+N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 방향을 따라 연장된 하나 이상의 제1 영역 및 상기 제1 영역의 하부 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로부터 연장된 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역과 인접한 위치에서 상기 제1 방향으로 따라 연장된 하나 이상의 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 영역들의 상기 제1 방향에 따른 양쪽 단부 영역들은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 연결된 전이금속 디칼코게나이드 박막을 포함하고, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 헤테로접합이 형성된 것을 특징으로 하는, 포토 트랜지스터
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