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베이스 기판; 및금속 또는 이의 합금으로 구성되고, 전이금속이 도핑된 금속 박막;을 포함하고,상기 금속의 질화 또는 산화 처리에 대한 반응성은 상기 전이금속의 질화 또는 산화 처리에 대한 반응성보다 낮고, 상기 금속 박막은 전이금속의 질화물 또는 산화물을 포함하는, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 투명 기판인, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 금속은 Ag, Pt, Pd, Au, Ru, Rh, 및 Cu 중 1종 이상인, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 전이금속은 Al, Cu, Ni, Mo, Sn, Ge, Zn, Ti, Cr, 및 Si 중 1종 이상인, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 금속은 Ag, 또는 Ag 및 불가피한 불순물로 구성되는 Ag 합금이고, 상기 전이금속은 Al인, 금속 박막 기판
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제5항에 있어서, 상기 전이금속은 금속 박막 중 4 - 20 at%로 포함되는, 금속 박막 기판
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제5항에 있어서, 상기 금속 박막은 질화 처리되어 전이금속이 불활성화된, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 금속은 Au, 또는 Au 및 불가피한 불순물로 구성되는 Au 합금이고, 상기 금속 박막은 산화 처리되어 전이금속이 불활성화된, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 금속 박막의 일면 사이에 형성되는 중간층; 및상기 금속 박막의 다른 일면에 형성되는 보호층; 중 1종 이상을 더 포함하는, 금속 박막 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 박막은 4 - 12nm의 두께를 가지는, 금속 박막 기판
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,80% 이상의 광 투과도 및 15Ω/sq 이하의 면저항을 가지는, 금속 박막 기판
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 금속 박막 기판을 포함하는, 물품
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제12항에 있어서, 상기 물품은 30nm 미만의 두께를 가지는 보호층을 포함하고, 디스플레이용 투명전극인, 물품
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제12항에 있어서, 상기 물품은 30nm 이상의 두께를 가지는 보호층을 포함하고, 태양전지용 투명전극, 편광판, 저방사코팅, 투명히터용 전극, 또는 반도체용 미세금속전극인, 물품
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제1항에 기재된 금속 박막 기판을 제조하는 방법에 있어서,베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 상에 금속 또는 이의 합금으로 구성되는 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막에 상기 금속보다 질화 또는 산화 처리에 대한 반응성이 높은 전이금속을 도핑하는 단계; 및 상기 전이금속이 도핑된 금속 박막을 질화 또는 산화 처리하여 상기 전이금속의 질화물 또는 산화물을 형성하여 전이금속을 불활성화시키는 전이금속 불활성화 단계;를 포함하는, 금속 박막 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속은 Ag, 또는 Ag 및 불가피한 불순물로 구성되는 Ag 합금이고, 상기 전이금속은 Al인, 금속 박막 기판의 제조방법
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제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 전이금속 불활성화 단계는 상기 전이금속이 도핑된 금속 박막을 300℃ 이하에서 질화 처리하여 전이금속을 불활성화하는 것을 포함하는, 금속 박막 기판의 제조방법
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제15항 또는 제16항에 있어서,상기 전이금속 불활성화 단계는 순수한 질소 분위기에서 질소 이온을 이용하여 실시되는, 금속 박막 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속은 Au, 또는 Au 및 불가피한 불순물로 구성되는 Au 합금이고, 상기 금속 박막은 산화 처리되어 전이금속이 불활성되는, 금속 박막 기판의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 금속 박막을 형성하는 단계 및 전이금속을 도핑하는 단계를 동시에 실시하는, 금속 박막 기판의 제조방법
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