| 1 |
1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 서로 반대 도전형으로 형성된 드레인 영역 및 소스 영역;전압 인가시, 상기 드레인 영역 및 소스 영역 사이에 채널 영역을 형성하게 하는 제 1 게이트; 및상기 소스 영역을 사이에 두고 형성된 바이오 물질 센싱 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,전압 인가시, 상기 바이오 물질 센싱 영역에 존재하는 바이오 물질에 따라서 상기 소스 영역의 전위를 변화하게 하는 제 2 게이트를 더 포함하고,상기 바이오 물질 센싱 영역은 상기 소스 영역과 상기 제 2 게이트 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 바이오 센서는 상기 바이오 물질의 전하량으로 소스 전위를 변화시켜 바이오 물질을 센싱하는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 바이오 센서는 상기 제 2 게이트에 전압을 인가하여 상기 바이오 물질 센싱 특성을 변화시키는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 바이오 센서는 상기 제 2 게이트에 전압을 인가하여 상기 바이오 물질의 유전율의 변화만을 이용하여 바이오 물질을 센싱하는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 소스 영역은 n형의 도전형을 갖고 상기 드레인 영역은 p형의 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 바이오 물질 센싱 영역은 10nm 내지 300nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서
|
| 8 |
8
p형 도전형을 갖는 드레인 영역을 형성하는 단계;n형 도전형을 갖는 소스 영역을 형성하는 단계;전압 인가시, 상기 드레인 영역 및 소스 영역 사이에 채널 영역을 형성하게 하는 제 1 게이트를 형성하는 단계; 및상기 소스 영역을 사이에 두고 배치되는 바이오 물질 센싱 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,전압 인가시, 상기 바이오 물질 센싱 영역에 존재하는 바이오 물질에 따라서 상기 소스 영역의 전위를 변화하게 하는 제 2 게이트를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 터널링 전계 효과 트랜지스터 바이오 센서 제조 방법
|
