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시드용 단결정 다이아몬드 그릿(grit)을 다이아몬드 합성용 챔버 내 스테이지 기판 상에 배치시키는 단계; 및상기 챔버 내로 원료 가스를 투입하여 상기 시드용 단결정 다이아몬드 그릿을 3차원 성장시켜 입자형 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계;를 포함하되,상기 입자형 단결정 다이아몬드 그릿은 표면이 (100)면 및 (111)면으로 구성된 큐브옥타헤드론(cuboctahedron) 모양을 가지며, 상기 입자형 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계에서는, 상기 시드용 단결정 다이아몬드 그릿의 표면에서 2차 핵생성이 일어나지 않으면서, 상기 성장이 상기 (100)면이 주도되는 니어 003c#100003e# 방향 혹은 니어 003c#110003e# 방향 집합조직 조건에서 이루어지는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 시드용 단결정 다이아몬드 그릿은 고온고압법에 의해 제조된 인조 다이아몬드 이거나 혹은 천연 다이아몬드인, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 스테이지 기판은, 상기 단결정 다이아몬드 그릿 시드를 수용하는 상기 시드 수용홈부가 상면에 일정 간격으로 복수개가 배치되어 있는,기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 시드용 단결정 다이아몬드 그릿을 챔버 내 스테이지 기판 상에 배치시키는 단계는, 상기 시드용 단결정 다이아몬드 그릿이 상기 스테이지 기판의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되도록 상기 수용홈부 내에 배치시키는 단계를 포함하는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 원료 가스는, 수소가스 및 탄화수소 가스가 혼합된 혼합가스이고, 상기 혼합가스 내의 탄화수소 가스의 조성은 부피비로 1% 내지 20% 범위를 가지는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 입자형 다이아몬드 단결정으로 성장시키는 단계는 하기 수학식 1로 표현되는 조건에 수행되는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 원료 가스 투입 후 챔버의 압력은 10Torr 내지 500Torr 범위를 가지는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 원료 가스의 유량은 10sccm 내지 1,000sccm범위를 가지는, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 챔버는, 다수의 음극으로 이루어진 음극부와 양극부 사이에 직류전원 플라즈마를 발생시켜 다이아몬드를 합성할 수 있는 내부 공간이 형성되는 기상화학증착용 챔버인, 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 수용홈부의 간격이 1 mm 이상인,기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법
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