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마이크로 엘이디 디스플레이의 제작 방법에 있어서, 회로 부분을 포함하는 기판 일면에 복수 개의 금속 입자들을 함유한 고분자 접착 용액이 제1두께로 코팅되는 제1과정; 상기 고분자 접착 용액 상에 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 배열된 후, 부착되는 제2과정; 상기 부착된 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 가열 및 가압에 의해 하강하여, 상기 접속 패드가 상기 금속 입자 들과 가까워지고, 상기 금속 입자들 주변과 접속 패드 사이가 물리적으로 연결되는 제3과정; 및 가열 및 가압에 의해 상기 금속 입자들이 상기 접속 패드 및 상기 회로 부분과 각각 화학적으로 결합되어 상기 마이크로 엘이디 칩과 상기 회로 부분 사이가 전기적으로 연결되는 제4과정을 포함하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 글래스 재질인 방법
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제1항에 있어서, 상기 각각의 금속 입자는 50nm 내지 500nm 사이의 크기인 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 입자는 50℃ 내지 300℃ 사이의 온도에서 상기 회로 부분의 금속 물질과 합금을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3과정은 100℃ 이하에서 열처리하거나, 1N/m2 이하의 압력을 가함으로써, 상기 마이크로 엘이디 칩의 접속 패드와 상기 금속 입자 사이에 물리적 결합이 생성되는 방법
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제1항에 있어서, 상기 회로 부분은 TFT 회로를 포함하는 방법
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마이크로 엘이디 디스플레이에 있어서,일면에 회로 부분을 포함하는 기판;상기 기판 일면에 제1두께로 형성되며, 복수 개의 금속 입자들을 포함하는 고분자 접착층;상기 고분자 접착층에 배열된 상태로 부착되며, 상기 고분자 접착층에 속하는 제1부분과, 상기 고분자 접착층에 속하지 않는 제2부분을 포함하는 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들;상기 복수 개의 금속 입자들에 의해 상기 마이크로 엘이디 칩들의 접속 패드와 상기 회로 부분 사이에 형성되는 도전 구조를 포함하는 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 기판은 글래스 재질인 디스플레이
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제8항에 있어서, 상기 제1부분은 50% 이하이고, 상기 제2부분은 50% 이상으로 구성되는 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 제1부분은 10% 이하이고, 상기 제2부분은 90% 이상으로 구성되는 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 각각의 마이크로 엘이디 칩은 접속 패드-다운 타입으로 배치되는 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 제1두께는 100nm 에서 1000nm 사이의 범위의 두께로 코팅되는 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 각각의 금속 입자는 50nm 내지 500nm 사이의 크기인 디스플레이
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제7항에 있어서, 상기 도전 구조는 가열 및 가압으로 상기 금속 입자들과 상기 접속 패드 및 상기 회로 부분이 화학적 결합으로 생성되는 디스플레이
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