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현장에서 인쇄하여 배선 가능한 소자 어레이(Field Print-wirable Device)

  • 기술번호 : KST2017005980
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예에 의한 소자 어레이는, 어레이로 배열된 복수의 N 타입 TFT(N type Thin Film Transistor)들과, 어레이로 배열된 복수의 P 타입 TFT(P type Thin Film Transistor)들 및 복수의 N 타입 TFT들과 복수의 P 타입 TFT들 상에 형성된 절연층(insulation layer)을 포함하며, N 타입 TFT와, P 타입 TFT는 전도성 물질로 인쇄되어 배선된다.
Int. CL H01L 27/12 (2015.10.23) H01L 23/528 (2015.10.23) H01L 27/15 (2015.10.23)
CPC H01L 27/1214(2013.01) H01L 27/1214(2013.01) H01L 27/1214(2013.01) H01L 27/1214(2013.01)
출원번호/일자 1020150128019 (2015.09.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0030740 (2017.03.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용상 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 이동훈 대한민국 서울특별시 구
3 조형준 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)아이시스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0879345-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0630812-14
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0109222-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1060743-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174971-67
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0019771-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0277929-44
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0583142-27
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0694060-52
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0792925-17
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0792941-37
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0903925-24
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0092794-26
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0092780-98
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0150263-91
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0435514-61
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0540597-70
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0728357-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
어레이로 배열된 복수의 N 타입 TFT(N type Thin Film Transistor)들;어레이로 배열된 복수의 P 타입 TFT(P type Thin Film Transistor)들; 제1 영역 내에 어레이로 배치된 저항들;제2 영역 내에 어레이로 배치된 커패시터들; 및상기 복수의 N 타입 TFT들과 상기 복수의 P 타입 TFT들, 상기 어레이로 배치된 저항들과 상기 어레이로 배치된 커패시터들 상에 형성된 절연층(insulation layer)을 포함하며, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 이격되어 있고,상기 복수의 N 타입 TFT와, 상기 복수의 P 타입 TFT, 상기 어레이로 배치된 저항들과 상기 어레이로 배치된 커패시터들은 현장에서 필요한 기능을 수행하도록 현장에서 전도성 물질로 인쇄되어 배선되는 소자 어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 N 타입 TFT들과 상기 복수의 P 타입 TFT들은 배면 적층(back staggered) 구조를 가지는 소자 어레이
3 3
제1항에 있어서, 상기 복수의 N 타입 TFT들에서 채널(channel)이 형성되는 영역은 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide) 및 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 소자 어레이
4 4
제1항에 있어서, 상기 복수의 P 타입 TFT들에서 채널(channel)이 형성되는 영역은 펜타신(Pentacene)을 포함하는 소자 어레이
5 5
제1항에 있어서, 상기 소자 어레이는,상기 절연층을 관통하여 형성되되, 각각 상기 N 타입 TFT의 전극들과 P 타입 TFT 전극들을 노출시키는 복수의 홀(hole)들을 더 포함하며,상기 N 타입 TFT와, 상기 P 타입 TFT는 상기 복수의 홀들에 인쇄된 상기 전도성 물질에 의하여 배선되는 소자 어레이
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 소자 어레이는 생체 물질(bio material)을 검출하거나, 생체의 신호를 검출하는 바이오 서(bio sensor), 광의 조도를 검출하는 조도 센서 및 공기 중 목적하는 기체(gas) 성분을 검출하는 가스 센서로 이루어진 그룹에서 선택된 센서가 어레이로 배치된 센서 어레이를 더 포함하는 소자 어레이
8 8
제1항에 있어서, 상기 전도성 물질은 도전성 금속 및 도전성 유기물 중 어느 하나를 포함하는 소자 어레이
9 9
제8항에 있어서, 상기 도전성 금속은 금(gold, Au), 은(silver, Ag), 구리(copper, Cu), 알루미늄(aluminum, Al), 티타늄(titanium, Ti)으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하며, 상기 도전성 유기물은 PEDOT:PSS을 포함하는 소자 어레이
10 10
어레이로 배열된 복수의 N 타입 TFT(N type Thin Film Transistor)들;어레이로 배열된 복수의 P 타입 TFT(P type Thin Film Transistor)들; 제1 영역 내에 어레이로 배치된 저항들;제2 영역 내에 어레이로 배치된 커패시터들; 및상기 복수의 N 타입 TFT들과 상기 복수의 P 타입 TFT들, 상기 어레이로 배치된 저항들과, 상기 어레이로 배치된 커패시터들 상에 형성된 절연층(insulation layer)을 포함하며, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 이격되어 있고,상기 복수의 N 타입 TFT와, 상기 복수의 P 타입 TFT, 상기 어레이로 배치된 저항들과 상기 어레이로 배치된 커패시터들이 현장에서 필요한 기능을 수행하도록 현장에서 전도성 물질로 인쇄되어 배선되는 전자 소자를 포함하는 전자 장치(electronic device)
11 11
제10항에서, 상기 전자 장치는 웨어러블 장치(wearable device)인 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.