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그래핀에 표면 처리를 수행하고,표면 처리된 상기 그래핀 상에 금속층을 형성하되,표면 처리된 상기 그래핀은 라만 스펙트럼의 G 피크 대비 D 피크의 비율이 2이상 3이하인 그래핀-금속 구조체 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀에 표면 처리를 수행하는 것은상기 그래핀에 자외선을 6분 이상동안 조사하는 것을 포함하는 그래핀-금속 구조체 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀에 표면 처리를 수행하는 것은상기 그래핀에 산소 플라즈마, 암모니아 플라즈마, 질소 플라즈마 및 아르곤 플라즈마 중 적어도 하나를 수행하는 것을 포함하는 그래핀-금속 구조체 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속층은 텅스텐을 포함하는 그래핀-금속 구조체 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속층의 면저항은 74 ohm/sq 이하인 그래핀-금속 구조체 제조 방법
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그래핀;상기 그래핀 상에 배치된 금속층을 포함하되,상기 그래핀은 라만 스펙트럼의 G 피크 대비 D 피크의 비율이 2 이상 3 이하인 그래핀-금속 구조체
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제 6항에 있어서,상기 금속층은 텅스텐을 포함하는 그래핀-금속 구조체
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제 6항에 있어서,상기 금속층의 면저항은 74 ohm/sq 이하인 그래핀-금속 구조체
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기판;상기 기판 상에 배치된 배리어층;상기 배리어층 상에 배치된 금속층을 포함하되,상기 배리어층은 그래핀을 포함하고,상기 그래핀은 라만 스펙트럼의 G 피크 대비 D 피크의 비율이 2이상 3이하인 반도체 장치
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제 9항에 있어서,상기 금속층은 텅스텐을 포함하고,상기 금속층의 면저항은 74 ohm/sq 이하인 반도체 장치
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