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내부 기공을 포함하는 탄소 네트워크 및 상기 탄소 네트워크 상에 형성된 주석 입자를 포함하며,상기 주석 입자의 일부는 플루오르화 된 것인,리튬 이온 이차전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서, 상기 주석 입자는 상기 탄소 네트워크 상에 형성되어 있는 작용기와 결합하는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질
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제 2 항에 있어서, 상기 작용기는 -OH, -COOH, -CHO, -C(=O)NH2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 작용기를 포함하는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소 네트워크는 그래핀을 포함하는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질
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이산화규소 템플릿의 표면 상에 탄소 네트워크를 형성하는 단계; 상기 탄소 네트워크 상에 작용기를 형성하는 단계;상기 작용기 상에 주석 입자를 결합시키는 단계; 및상기 이산화규소 템플릿을 제거하는 단계를 포함하는, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 이산화규소 템플릿은 이산화규소 나노 입자의 소결에 의해 형성되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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8
제 6 항에 있어서, 상기 탄소 네트워크는 탄소를 함유하는 기체의 공급 하에 화학기상증착(CVD) 방식으로 형성되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 화학기상증착은 APCVD, LPCVD, PECVD, MPCVD, ALCVD, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정에 의해 수행되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 탄소를 함유하는 기체는 CH4, C2H6, C3H8, C4H10, C5H12, C6H14, C7H16, C2H4, C2H2, C3H6, C3H4, C4H8, C4H6, C5H10, C5H8, C6H12, C6H10, C7H14, C7H12, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 작용기는 상기 탄소 네트워크 상에 플라즈마를 주입하여 형성되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 주석 입자는, 상기 탄소 네트워크를 주석 염을 포함하는 용액 상에 함침하여 형성되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 용액은 무수 에탄올, 암모니아, 증류수, 탈이온수, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 용매를 포함하는 것에서 선택된 용매를 포함하는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 이산화규소 템플릿은 에칭에 의해 제거되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 이산화규소 템플릿은 HF, KF, KHF2, NaF, SF6, CF4, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질에 의해 에칭되어 제거되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 에칭에 의해 상기 주석 입자의 일부가 플루오르화 되는 것인, 리튬 이온 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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음극, 양극 및 전해질을 포함하는 리튬 이온 이차전지에 있어서, 상기 음극은 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 리튬 이차전지용 음극 활물질을 포함하는 것인, 리튬 이온 이차전지
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