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구 형상의 코어(core); 및상기 코어를 둘러싸도록 형성되는 것으로, 그래핀을 포함하는 그래핀 셸(graphene shell)을 포함하며, 상기 코어는 구 형상의 제1 코어와 상기 코어를 둘러싸는 제2 코어를 포함하며, 상기 제1 코어는 절연체 또는 금속을 포함하며, 상기 제2 코어는 게르마늄(Ge)을 포함하는 그래핀 볼 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어는 1nm ~ 10㎛ 의 직경을 가지는 그래핀 볼 구조체
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다수의 제 1 항 또는 제 3 항에 기재된 그래핀 볼 구조체가 서로 결합하여 형성된 그래핀 볼 네트워크(graphene ball network)
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반도체 물질을 포함하는 구 형상의 코어와, 상기 코어를 둘러싸도록 형성되는 것으로 그래핀을 포함하는 그래핀 셸을 포함하는 그래핀 볼 구조체를 제조하는 방법에 있어서,반도체 물질을 포함하는 가스와 탄소를 포함하는 가스를 이용한 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 그래핀 볼 구조체를 합성하며, 상기 코어는 게르마늄(Ge)를 포함하며, 상기 반도체 물질을 포함하는 가스는 GeH4를 포함하는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 반도체 물질을 포함하는 가스와 상기 탄소를 포함하는 가스를 반응챔버 내에 흘려주는 단계; 및상기 반도체 물질을 포함하는 코어가 구 형상으로 형성되고, 상기 코어의 외면 상에 그래핀이 성장하여 상기 그래핀 셸이 형성되는 단계;를 포함하는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 코어는 1nm ~ 10㎛ 의 직경을 가지도록 형성되는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 셸은 하나 이상의 층 구조를 가지도록 형성되는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 셸을 형성한 다음, 상기 코어를 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 탄소를 포함하는 가스는 CH4를 포함하는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 반응챔버 내는 200 ~ 900℃의 온도로 유지되는 그래핀 볼 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 반응챔버 내는 0
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