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양극, 정공 수송층, 발광층 및 음극을 포함하는 발광소자에 있어서,상기 발광층의 적어도 어느 하나의 일면에 형성되는 n-타입 산화물 및 p-타입 산화물이 순차적으로 적층된 레이어-바이-레이어 구조의 전하 생성 접합층을 포함하고,상기 n-타입 산화물은 산화아연(ZnO)을 포함하며,상기 p-타입 산화물은 아래의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 n-타입 산화물과 상기 p타입 산화물은 밴드갭 에너지가 3
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제1항에 있어서,상기 n-타입 산화물은 도펀트로 도핑된 산화아연인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제3항에 있어서,상기 도펀트는 세슘(Cs), 리튬(Li), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 발광층은 양자점(Quantum dot), 산화층(oxide layer), 질화층(nitride layer), 반도체층(semiconductor layer), 유기화합물층(organic compound layer), 무기화합물층(inorganic compound layer), 인광층(phosphor layer) 및 염료층(dye layer) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 발광소자는 1cd/A 내지 100cd/A의 전류 효율을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 발광소자는 5% 내지 25%의 외부 양자 효율을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자
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양극, 정공 수송층, 적어도 둘 이상의 발광층 및 음극을 포함하는 멀티 스택 발광소자에 있어서,n-타입 산화물 및 p-타입 산화물이 순차적으로 적층된 레이어-바이-레이어 구조체가 상기 적어도 둘 이상의 발광층 사이에 형성된 전하 생성 접합층을 포함하며,상기 n-타입 산화물은 산화아연(ZnO)을 포함하고, 상기 p-타입 산화물은 아래의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 멀티 스택 발광소자
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제8항에 있어서,상기 n-타입 산화물과 상기 p타입 산화물은 밴드갭 에너지가 3
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제8항에 있어서,상기 n-타입 산화물은 도펀트로 도핑된 산화아연인 것을 특징으로 하는 멀티 스택 발광소자
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제10항에 있어서,상기 도펀트는 세슘(Cs), 리튬(Li), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 스택 발광소자
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제8항에 있어서,상기 멀티 스택 발광소자는 3cd/A 내지 300cd/A의 전류 효율을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 스택 발광소자
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제8항에 있어서,상기 멀티 스택 발광소자는 15% 내지 75%의 외부 양자 효율을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 스택 발광소자
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기판 상에 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 음극을 형성하는 단계; 및상기 발광층의 적어도 어느 하나의 일면에 전하 생성 접합층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전하 생성 접합층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 n-타입 산화물과, 하기 화학식으로 표시되는 p-타입 산화물을 포함하는 용액으로 성막하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 전하 생성 접합층은 열처리 또는 자외선/오존 처리되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 열처리는 150℃내지 250℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 열처리는 10분 내지 90분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 자외선/오존 처리는 30초 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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