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투명 전도성 산화물 박막으로서, 투명 전도성 산화물층; 및 은(Ag)계열 금속 합금을 포함하는 금속층;을 포함하며,상기 금속층은 투명 전도성 산화물층 상에 적층되고,상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 하기 [화학식 1]의 조성을 갖는 은(Ag) 및 타이타늄(Ti)의 합금인, 투명 전도성 산화물 박막
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투명 전도성 산화물 박막으로서, 투명 전도성 산화물층; 및 은(Ag)계열 금속 합금을 포함하는 금속층;을 포함하며,상기 금속층은 투명 전도성 산화물층 상에 적층되고,상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 하기 [화학식 2]의 조성을 갖는 은(Ag), 타이타늄(Ti), 및 크로뮴(Cr)의 합금인, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,복수의 투명 전도성 산화물층을 포함하고, 상기 금속층의 양면 상에 적층되는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항에 있어서,상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 금속 합금 전체 중량에 대하여 0
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제2항에 있어서,상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 금속 합금 전체 중량에 대하여 0
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속층은 5-15 nm 두께 범위인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물층은 20-100 nm 두께 범위인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물 박막은 상기 투명 전도성 산화물층 상에 적층된 기판을 더 포함하며,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리 에테르설폰, 또는 폴리 카보네이트 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 폴리머를 포함하는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물 박막은 플렉서블 박막인, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물 박막은 10 Ω/sq 이하의 면저항(sheet resistance)을 갖는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물 박막은 가시광선 영역에서 80% 이상의 광 투과율을 갖는, 투명 전도성 산화물 박막
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 투명 전도성 산화물 박막을 투명 전극으로 포함하는, 전자 소자
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투명 전도성 산화물층을 증착하는 단계; 및은(Ag)계열 금속 합금을 포함하는 금속층을 증착하는 단계;를 포함하며, 상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 하기 [화학식 1]의 조성을 갖는 은(Ag) 및 타이타늄(Ti)의 합금인, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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투명 전도성 산화물층을 증착하는 단계; 및은(Ag)계열 금속 합금을 포함하는 금속층을 증착하는 단계;를 포함하며, 상기 은(Ag) 계열 금속 합금은 하기 [화학식 2]의 조성을 갖는 은(Ag), 타이타늄(Ti), 및 크로뮴(Cr)의 합금인, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 금속층은 스퍼터링, 열증착(thermal evaporation), 및 원자층 증착(ALD)으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 증착은 5 내지 20 W의 타겟 파워 및 5 내지 25 mtorr의 작업 진공 조건으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 금속층 증착은 은(Ag) 계열 금속 합금의 조성인 금속 소스 타겟을 각각 증착시키는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 금속 소스 타겟과 상기 투명 전도성 산화물층의 거리를 변경함으로써, 증착되는 은(Ag) 계열 금속 합금의 조성을 제어하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 제조 방법은 증착에 앞서, 은(Ag) 계열 금속 합금의 조성을 결정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 조성은 연속조성확산법을 통하여 결정되는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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