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기판;상기 기판 상에 형성된 유동성 지지층; 상기 유동성 지지층의 상부 표면에 형성된 베이스 및 상기 베이스 상에 성장된 박막을 포함하고, 상기 기판은 표면에너지가 상기 유동성 지지층을 구성하는 물질의 표면 에너지 보다 큰 물질로 형성되며, 상기 유동성 지지층은 상기 박막의 성장을 위해 기설정된 공정온도 범위에서 증기압이 기설정된 크기 이하이며 액체 상태를 유지하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 유동성 지지층은 갈륨(Ga), 인듐(In), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)이 포함된 합금, 고분자(polymer) 물질 및 이온성 액체(ionic liquid) 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 베이스는 그래핀, 그래핀층, 그래핀 조각 및 2차원 물질(2D material) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제3항에 있어서, 상기 그래핀층은 적어도 하나의 모노레이어로 구성된 그래핀을 포함하고, 상기 그래핀 조각은 그래핀플레이크 (graphen flake), 그래핀옥사이드(graphen oxide), 리듀스드 그래핀옥사이드(reduced graphen oxide) 및 그래핀나노플레이트릿(graphen nano-platelet) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는박막성장구조
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제3항에 있어서, 상기 베이스는 상기 그래핀, 상기 그래핀층, 상기 그래핀 조각 및 상기 2차원 물질 중 적어도 하나의 물질이 다층막(multi-layer)으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 베이스는 고분자층이 코팅된 그래핀을 고체 상태에 있는 상기 유동성 지지층의 상부 표면에 올려 놓은 후, 아세톤으로 상기 고분자층을 제거하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제6항에 있어서, 상기 고분자층은 PMMA(poly methyl methacrylate) 및 써멀테이프(thermal release tape) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 기판은 강철판, 스테인레스강(stainless steel), 용융 실리카(fused silica), 텅스텐 및 몰리브데니움 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 기설정된 공정온도 범위는 600℃ 내지 700℃ 범위인 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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제1항에 있어서, 상기 박막은 스퍼터링(sputtering) 또는 화학기상증착법(chemical vapor deposition)을 통해 상기 베이스 상에 성장된 비정질 실리콘(amorphous Si) 박막인 것을 특징으로 하는 박막성장구조
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