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실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈

  • 기술번호 : KST2021001721
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리 세정하는 메가소닉 세정 모듈에 사용되어, 메가소닉이 인가된 세정액을 타겟에 직접 분사하는 실리콘 웨이퍼 노즐을 제조하는 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법은, 실리콘 웨이퍼의 양면 중 제1면에 알루미늄층을 형성하는 제1단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 다른 제2면에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트층을 패터닝 하는 제2단계, 상기 포토레지스트층 패턴을 따라 상기 실리콘 웨이퍼에 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 분사홀들을 형성하는 제3단계, 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 제4단계, 및 상기 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 실리콘 스택을 형성하는 제5단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/027(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/78(2013.01) H01L 21/285(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/31111(2013.01) G03F 7/20(2013.01) H01L 21/67028(2013.01)
출원번호/일자 1020190105998 (2019.08.28)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0025936 (2021.03.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현세 서울특별시 종로구
2 이양래 대전광역시 유성구
3 임의수 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0886990-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0183969-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0836615-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-1375512-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1375513-12
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번호 청구항
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실리콘 웨이퍼의 양면 중 제1면에 알루미늄층을 형성하는 제1단계;상기 실리콘 웨이퍼의 다른 제2면에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트층을 패터닝 하는 제2단계;상기 포토레지스트층 패턴을 따라 상기 실리콘 웨이퍼에 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 분사홀들을 형성하는 제3단계;상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 제4단계; 및상기 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 실리콘 스택을 형성하는 제5단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계는알루미늄을 기상 증착하여 상기 알루미늄층을 형성하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제3단계는딥 리액티브 이온 에칭(deep Reactive Ion Etching) 공정으로 상기 분사홀들을 형성하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제4단계는?? 에칭(wet etching)으로 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법
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메가소닉 세정 모듈에서 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하도록 세정액 분사측에 구비되고 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 형성되는 실리콘 스택; 및 상기 실리콘 스택에 구비되는 복수의 분사홀들을 포함하는 실리콘 웨이퍼 노즐
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제5항에 있어서,상기 분사홀들은직경(D) 10~50㎛로 형성되는 실리콘 웨이퍼 노즐
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제6항에 있어서,상기 분사홀들은직경(D): 높이(H)의 비가 1:15~20인 실리콘 웨이퍼 노즐
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제7항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는두께(t)가 150~350㎛로 형성되는 실리콘 웨이퍼 노즐
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세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 양측에 제1개구와 제2개구를 구비하는 바디;상기 제1개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐; 및상기 제2개구에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자를 포함하는 메가소닉 세정 모듈
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제9항에 있어서,상기 바디는상기 제1개구에 중심을 향하여 돌출되는 지지부를 구비하고,상기 실리콘 웨이퍼 노즐은상기 지지부에 장착되는 메가소닉 세정 모듈
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제10항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼 노즐은상기 세정액 수용 공간을 형성하는 상기 바디의 내면에 결합되는 스냅링으로 고정되는 메가소닉 세정 모듈
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제9항에 있어서,상기 바디는석영(quartz)으로 형성되는 메가소닉 세정 모듈
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세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 일측에 개구를 구비하는 바디;상기 개구의 반대측에서 상기 바디의 내부에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자; 및상기 개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐을 포함하는 메가소닉 세정 모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 성과출연금사업-주요사업 준용 1MHz 급 고리형 메가소닉 세정 장치 개발 (1/1)