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뉴런 하나당 다수의 시냅스를 갖는 3차원 뉴로모픽 소자에 있어서,단일 축삭돌기(Axon)를 구현하는 공통 게이트(Common gate); 및 복수의 시냅스(Synapse)들을 각각 구현하는 복수의 데이터 저장요소들을 포함하고, 상기 복수의 데이터 저장요소들은, 서로 다른 물리적 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들은, 상기 서로 다른 물리적 구조를 통해 서로 다른 가중치를 갖게 되는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제2항에 있어서,상기 서로 다른 가중치를 갖는 복수의 데이터 저장요소들은, 상기 공통 게이트를 통해 신호가 유입됨에 응답하여, 복수의 가중치들이 각각 부여된 데이터들을 병렬적으로 저장 및 가공하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들은, 서로 다른 두께로 형성되거나 서로 다른 조성 물질로 형성되어, 상기 서로 다른 물리적 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들 각각은, 플래시 메모리에서 ONO(Oxide layer-Nitride layer-Oxide layer) 중 질화물층(Nitride layer)인 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제5항에 있어서,상기 복수의 질화물층들은, 서로 다른 물리적 구조를 통해 서로 다른 커패시턴스 값을 갖게 됨에 따라, 서로 다른 전하 차지(Charge) 양을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들 각각은, 모트 메모리에서 OMO(Oxide layer-Mott insulator layer-Oxide layer) 중 모트 절연층(Mott insulator layer)인 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제7항에 있어서,상기 복수의 모트 절연층들은, 서로 다른 물리적 구조를 통해 서로 다른 상전이(Insulator-to-Metal Phase Transition: Mott Transition) 특성을 갖게 됨에 따라, 서로 다른 전도도 또는 저항 값을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들 각각은, 상변화 메모리에서 PCM(Phase change material)층인 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제9항에 있어서,상기 복수의 PCM층들은, 서로 다른 물리적 구조를 통해 서로 다른 상변화(Phase Change) 특성을 갖게 됨에 따라, 서로 다른 저항 값을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 데이터 저장요소들 각각은, 저항 변화 메모리에서 산화물(Oxide)층인 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제11항에 있어서,상기 복수의 산화물층들은, 서로 다른 물리적 구조를 통해 서로 다른 저항 또는 전도도 변화 특성을 갖게 됨에 따라, 서로 다른 저항 값 또는 전도도 값을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제1항에 있어서,상기 3차원 뉴로모픽 소자는, 프린 뉴런(pre-neuron) 및 상기 프리 뉴런과 상기 복수의 시냅스들 중 적어도 하나의 시냅스를 통해 연결되는 포스트 뉴런(post-neuron)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제13항에 있어서,상기 프리 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자는, 상기 프리 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자에 포함되는 복수의 데이터 저장요소들에 이미 저장된 데이터들과 동일한 데이터들을 저장해야 하는 경우, 상기 복수의 데이터 저장요소들을 통해 연결된 상기 포스트 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자가 스위치 오프 됨에 응답하여, 출력 기능만을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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제13항에 있어서,상기 프리 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자는, 상기 프리 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자에 포함되는 복수의 데이터 저장요소들에 저장된 가중치가 부여된 데이터들을 삭제해야 하는 경우, 상기 복수의 데이터 저장요소들을 통해 연결된 상기 포스트 뉴런으로 사용되는 3차원 뉴로모픽 소자가 스위치 온 됨에 따른 백워드(Backward) 펄스에 응답하여, 상기 복수의 데이터 저장요소들에 저장된 가중치가 부여된 데이터들을 삭제하는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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뉴런 하나당 다수의 시냅스를 갖는 3차원 뉴로모픽 소자에 있어서,단일 축삭돌기(Axon)를 구현하는 공통 게이트(Common gate); 및 복수의 시냅스(Synapse)들을 각각 구현하는 복수의 데이터 저장요소들을 포함하고, 상기 복수의 데이터 저장요소들은, 복수의 가중치들을 병렬적으로 저장 및 가공하도록 서로 다른 가중치를 갖기 위한 서로 다른 물리적 구조-상기 서로 다른 물리적 구조는 서로 다른 두께로 형성되거나 서로 다른 조성 물질로 형성되는 것을 포함함-를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 뉴로모픽 소자
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