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중심 금속 이온 및 유기 리간드를 포함하는 금속-유기 골격체 나노 입자 및 고분자를 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체 나노 입자가 상기 고분자 100몰에 대하여 10 내지 50몰 포함되는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체의 중심 금속 이온이 Zn2+, Co2+, Cu2+, Ni2+, Cd2+, Fe2+, Fe3+, V3+, Cr3+, Al3+, Mn2+ 및 Mg2+로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체의 유기 리간드가 1-메틸이미다졸(1-methylimidazole), 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole), 1-벤질이미다졸(1-benzylimidazole), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨(1-butyl-3-methylimidazolium), 1,3,5-트리카복시벤젠(1,3,5-tricarboxybenzene), 1,3,5-트리스(4-카복시페닐)벤젠(1,3,5-tris(4-carboxyphenyl)benzene, BTB), 벤젠 디카복실레이트(benzenedicarboxylate), 아미노벤젠 디카복실레이트(aminobenzene dicarboxylate), 1,4-디카복시벤젠(1,4-dicarboxybenzene, BDC), 9,10-안트라센디카복실산(9,10-anthracenedicarboxylic acid), 5-시아노-1,3-벤젠디카복실산(5-cyano-1,3-benzenedicarboxylic acid), 4,4'-바이페닐디카복실산(4,4'-biphenyldicarboxylic acid, BPDC), 2,5-디하이드록시벤젠 카복실산(2,5-dihydroxybenzene carboxylic acid), 2,5-디하이드록시-1,4-벤젠 디카복실산(2,5-dihydroxy-1,4-benzenedicarboxylic acid, DOBDC), p-테르페닐-4,4'-디카복실산(p-terphenyl-4,4'-dicarboxylic acid) 및 2-(디페닐포스피노)테레프탈산(2-(diphenylphosphino)terephthalic acid)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체가 ZIF-1, ZIF-2, ZIF-3, ZIF-4, ZIF-6, ZIF-7, ZIF-8, ZIF-9 ZIF-65, ZIF-67, ZIF-69, ZIF-90, ZIF-95, MOF-74, MOF-101, MOF-177, UiO-66, UiO-67, UiO-68, MIL-53, MIL-101, HKUST-1, IRMOF-1 및 IRMOF-16로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체 나노 입자의 평균 입경이 50 내지 300nm인, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 고분자가 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리(9-비닐카바졸)(poly(9-vinylcarbazole), PVK), 폴리메틸메타크릴레이트(poly methyl methacrylate, PMMA), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol, PVA), 폴리메틸실세스퀴옥산(polymethylsilsesquioxane, PMSSQ), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리비닐리덴플로라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF) 및 폴리비닐페놀(polyvinylphenol, PVP)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 1 항에 있어서,물, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 아이소프로필알코올(isopropyl alcohol) 및 아세톤(acetone)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 용매를 더 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물
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제 8 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체 나노 입자가, 조성물 전체에 대하여 0
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금속-유기 골격체 나노 입자, 고분자 및 용매를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 기판 상에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층을 건조시켜 활성층을 형성하는 단계를 포함하는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 혼합 용액의 코팅이 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating), 커튼 코팅(curtain coating), 슬롯 코팅(slot coating), 롤 코팅(roll coating) 또는 그라비어 코팅(gravure coating)에 의해 수행되는, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 혼합 용액의 코팅이 스핀 코팅에 의해 수행되며, 상기 스핀 코팅의 회전수가 1,500 내지 3,000rpm인, 전자 시냅스 소자의 활성층 형성 방법
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하부 전극;상부 전극; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 사이에 구비되고, 복수의 금속-유기 골격체 나노 입자가 고분자 매트릭스 내에 분산된 형태의 활성층을 포함하는, 전자 시냅스 소자
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제 13 항에 있어서,상기 활성층의 두께가 100 내지 500nm인, 전자 시냅스 소자
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제 13 항에 있어서,상기 상부 전극이 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 아연(Zn), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 전자 시냅스 소자
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