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팽창기판 상에 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제1 나노 입자층을 형성하는 단계;상기 제1 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 제2 유기 리간드로 치환하여 크랙을 포함하는 제1 온도 감지층을 형성하는 단계;상기 제1 온도 감지층 상에 포토레지스트를 도포 및 식각하여 상기 제1 온도 감지층이 노출된 영역 및 상기 포토레지스트가 잔류한 영역을 형성하는 단계;상기 제1 온도 감지층 상에 상기 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제2 나노 입자층을 형성하는 단계;상기 제2 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 무기 리간드로 치환하여 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 온도 감지층 상의 상기 포토레지스트가 잔류한 영역을 제거하여 전극 및 제1 온도 감지부를 형성하는 단계;상기 전극 및 상기 제1 온도 감지부 상에 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제3 나노 입자층을 형성하는 단계;상기 제3 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 상기 제2 유기 리간드로 치환하여 크랙을 포함하는 제2 온도 감지층 및 제2 온도 감지부를 형성하는 단계; 및상기 제2 온도 감지부 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트는 상기 제2 유기 리간드와 화학 결합을 형성하여 상기 제1 온도 감지층 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창기판은 외부 온도의 증가에 따라 열 팽창되며,상기 제1 온도 감지부 및 상기 제2 온도 감지부는 상기 크랙의 간격이 증가되어 상기 고감도 온도 센서의 저항 증가를 감지하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창기판은 PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창기판은 자외선-오존(UV-ozone) 및 APTES((3-aminopropyl)triethoxysilane) 처리되는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창기판의 열 팽창 계수는 1
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제1항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 유기 리간드는 TOPO(trioctylphosphineoxide), 옥타데칸올(octadecanol), 올레익산(oleic acid) 및 올레일아민(oleylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 유기 리간드는 MPA(3-mercaptopropionic acid), EDT(1,2-ethanedithiol), EDA(ethylenediamine), BDT(benzenedithiol), 피리딘(pyridine), TGA(methanethiosulfonyl-galactoside) 및 PDT (propanedithiol) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무기 리간드는 황 이온(S2-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-), 티오시안산 이온(SCN-), 아이오딘 이온(I-), 이황화물 이온(HS-), 텔루륨 이온(Te2-), 수산화 이온(OH-), 사불화붕산 이온(BF4-) 및 육불화인산 이온(PF6-) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서의 제조방법
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팽창기판;상기 팽창기판 상에 형성되고, 제2 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자에 의해 크랙이 형성되는 제1 온도 감지부를 포함하는 제1 온도 감지층;상기 제1 온도 감지층 상에 서로 이격되어 형성되고, 무기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 제2 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자에 의해 크랙이 형성되는 제2 온도 감지부;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 형성되고, 상기 제2 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자에 의해 크랙이 형성되는 제2 온도 감지층; 및상기 제2 온도 감지부 상에 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서
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제11항에 있어서,상기 팽창기판은 외부 온도의 증가에 따라 열 팽창되며,상기 제1 온도 감지부 및 상기 제2 온도 감지부는 상기 크랙의 간격이 증가되어 상기 고감도 온도 센서의 저항 증가를 감지하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서
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제11항에 있어서,상기 팽창기판은 PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 온도 센서
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제11항에 있어서,상기 팽창기판의 열 팽창 계수는 1
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제11항에 있어서,상기 제1 온도 감지부 및 상기 제2 온도 감지부의 온도-저항 계수(temperature coefficient of resistance, TCR)는 0
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