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(111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정이 임베딩된(embedding) 단결정 금속막
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제1항에 있어서,상기 단결정 금속막은 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 이리듐(Ir) 및 지르코늄(Zr) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 단결정 금속막
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제1항에 있어서,상기 단결정 금속막은 그 형태가 호일, 평판, 블록 또는 튜브형인 것을 특징으로 하는 단결정 금속막
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제1항에 있어서,상기 단결정 금속막의 두께는 1 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 단결정 금속막
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 단결정 금속막을 포함하는 전도성 필름
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 단결정 금속막을 포함하는 이차원 나노소재의 성장용 기판
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(a) 결정면이 어느 한 방향으로 치우치지 않고 다양한 결정면 배향을 갖는 다결정 금속 전구체를 준비하는 단계, 및(b) 상기 (a) 단계의 금속 전구체의 표면에 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정을 접촉시킨 후 열처리하는 단계를 포함하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계의 금속 전구체는 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 이리듐(Ir), 및 지르코늄(Zr) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계의 금속 전구체는 그 형태가 호일, 평판, 블록 또는 튜브형인 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계의 금속 전구체는 그 형태가 호일이고,상기 호일의 일면 또는 양면에 상기 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정을 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정을 상기 다결정 금속 전구체의 일면 또는 양면에 접촉시킨 후 기판으로 가압하는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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12
제7항에 있어서,상기 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정을 2 개 이상 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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13
제7항 또는 제9항에 있어서,상기 (a) 단계의 금속 전구체는 상업화된 구리호일인 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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14
제13항에 있어서,상기 상업화된 구리호일의 두께는 1 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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15
제7항에 있어서,상기 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정은 상기 (111)로 배향된 종자를 상기 종자정 전체 면적 대비 10-4 내지 10-1의 비율로 함유하거나, 또는 상기 (111)로 단결정화 된 종자정은 상기 다결정 금속 전구체의 면적 대비 10-4 내지 2-1의 비율로 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 단계의 열처리는 800 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 단계의 열처리는 아르곤 분위기 하에서 10 내지 50 ℃/분의 속도로 승온하여 800 내지 1500 ℃의 열처리 온도에 도달하면 상기 열처리 온도에서 1 내지 10 시간 동안 등온 상태를 유지하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 단계 후, 냉각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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19
(A) 롤투롤 연속 공정에서 이송 중인 다결정 금속막의 표면에 (111)로 배향된 종자를 포함하는 종자정 또는 (111)로 단결정화 된 종자정을 부착하는 단계, 및(B) 상기 (A) 단계를 마친 이송 중인 다결정 금속막을 열처리하는 단계를 포함하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법으로서, 상기 (A) 단계의 다결정 금속막은 결정면이 어느 한 방향으로 치우치지 않고 다양한 결정면 배향을 갖는 것을 특징으로 하는, 종자정 고상결정 성장에 의한 단결정 금속막의 제조방법
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