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제 1 금속을 포함하는 기판 상에 수직으로 형성된 금속 인화물 층을 포함하는 금속 인화물 나노구조체에 있어서,상기 금속 인화물 층은 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 2종의 금속의 3원계 금속 수산화물을 포함하고,상기 3원계 금속 수산화물은 인(P) 처리된 것인,금속 인화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 상기 2 종의 금속 중 하나 이상의 금속보다 환원 전위가 낮은 것인, 금속 인화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 3 원계 금속 수산화물 층은 층상 이중 수산화물(LDH) 구조를 가지는 것인, 금속 인화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속을 포함하는 기판은 다공성 구조를 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 Ni, Co, Fe, Al, Cu, Mn, Na, K, Ru, Au, Pt, Sn, Pd, Zn, Ti, Ir, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
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6
제 1 항에 있어서,상기 2 종의 금속은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, Al, Cu, Mn, Na, K, Ru, Au, Pt, Sn, Pd, Zn, Ti, Ir, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 2 종의 상이한 금속을 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
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7
제 1 금속을 포함하는 기판을 상기 제 1 금속과 상이한 2 종의 금속의 전구체를 함유하는 용액 상에 함침시키는 단계;상기 기판의 표면에서 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 2종의 금속을 포함하는 금속 수산화물 층을 수직 성장시켜 금속 수산화물 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 금속 수산화물 나노구조체를 인(P) 처리하는 단계:를 포함하는, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 금속은 상기 2 종의 금속 중 하나 이상의 금속보다 환원 전위가 낮은 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 금속이 상기 용액 상에서 부식되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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10
제 7 항에 있어서,상기 인 처리는 인화 환원제에 의해 수행되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 인 처리는 질소 분위기 하에서 200℃ 내지 400℃ 의 열처리에 의해 수행되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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12
제 7 항에 있어서, 상기 용액은 유기용매를 포함하지 않는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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13
제 7 항에 있어서,상기 용액은 용매로서 초순수를 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 함침시키는 단계 전, 상기 제 1 금속을 포함하는 기판 표면의 산화막을 제거하는 단계를 추가 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
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제 14 항에 있어서
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 금속 인화물 나노구조체를 포함하는,수소 발생 반응(HER)용 전극
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