맞춤기술찾기

이전대상기술

금속 인화물 나노구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전극

  • 기술번호 : KST2021005262
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 제 1 금속을 포함하는 기판 상에 수직으로 형성된 금속 인화물 층을 포함하는 금속 인화물 나노구조체에 있어서, 상기 금속 인화물 층은 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 2종의 금속의 3원계 금속 수산화물을 포함하고, 상기 3원계 금속 수산화물은 인(P) 처리된 것인, 금속 인화물 나노구조체에 대한 것이다.
Int. CL H01M 4/90 (2006.01.01) H01M 4/88 (2006.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01) C23C 18/04 (2006.01.01) C23C 22/83 (2006.01.01) C23C 22/68 (2006.01.01) C23C 22/60 (2006.01.01) C23C 22/78 (2006.01.01) C25B 11/04 (2021.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B01J 35/00 (2006.01.01) B01J 27/185 (2006.01.01) B01J 23/745 (2006.01.01) B01J 23/75 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01M 4/90(2013.01) H01M 4/8803(2013.01) H01M 4/8825(2013.01) C23C 18/1295(2013.01) C23C 18/1208(2013.01) C23C 18/1241(2013.01) C23C 18/04(2013.01) C23C 22/83(2013.01) C23C 22/68(2013.01) C23C 22/60(2013.01) C23C 22/78(2013.01) C25B 11/091(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B01J 35/006(2013.01) B01J 27/1853(2013.01) B01J 23/745(2013.01) B01J 23/75(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020190135160 (2019.10.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0052611 (2021.05.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.29)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임병권 서울특별시 서초구
2 이주영 경상남도 창원시 성산구
3 우성원 서울특별시 구로구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1104087-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0164106-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0771268-10
5 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2021.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2021-0001320-92
6 [출원서 등 보완]보정서
2021.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0023517-94
7 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2021.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0023520-21
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0031313-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2021-0031290-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 금속을 포함하는 기판 상에 수직으로 형성된 금속 인화물 층을 포함하는 금속 인화물 나노구조체에 있어서,상기 금속 인화물 층은 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 2종의 금속의 3원계 금속 수산화물을 포함하고,상기 3원계 금속 수산화물은 인(P) 처리된 것인,금속 인화물 나노구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 상기 2 종의 금속 중 하나 이상의 금속보다 환원 전위가 낮은 것인, 금속 인화물 나노구조체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 3 원계 금속 수산화물 층은 층상 이중 수산화물(LDH) 구조를 가지는 것인, 금속 인화물 나노구조체
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속을 포함하는 기판은 다공성 구조를 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 Ni, Co, Fe, Al, Cu, Mn, Na, K, Ru, Au, Pt, Sn, Pd, Zn, Ti, Ir, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 2 종의 금속은 각각 독립적으로 Fe, Co, Ni, Al, Cu, Mn, Na, K, Ru, Au, Pt, Sn, Pd, Zn, Ti, Ir, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 2 종의 상이한 금속을 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체
7 7
제 1 금속을 포함하는 기판을 상기 제 1 금속과 상이한 2 종의 금속의 전구체를 함유하는 용액 상에 함침시키는 단계;상기 기판의 표면에서 상기 제 1 금속 및 상기 제 1 금속과 상이한 2종의 금속을 포함하는 금속 수산화물 층을 수직 성장시켜 금속 수산화물 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 금속 수산화물 나노구조체를 인(P) 처리하는 단계:를 포함하는, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 금속은 상기 2 종의 금속 중 하나 이상의 금속보다 환원 전위가 낮은 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 금속이 상기 용액 상에서 부식되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 인 처리는 인화 환원제에 의해 수행되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 인 처리는 질소 분위기 하에서 200℃ 내지 400℃ 의 열처리에 의해 수행되는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 용액은 유기용매를 포함하지 않는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
13 13
제 7 항에 있어서,상기 용액은 용매로서 초순수를 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
14 14
제 7 항에 있어서,상기 함침시키는 단계 전, 상기 제 1 금속을 포함하는 기판 표면의 산화막을 제거하는 단계를 추가 포함하는 것인, 금속 인화물 나노구조체의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서
16 16
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 금속 인화물 나노구조체를 포함하는,수소 발생 반응(HER)용 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심개인연구) 3/3 유연소재기반 나노 바이오 센서 개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 (유형1-2)중견연구(연평균연구비 1억원~2억원 이내) 옹스트롬 이하 분해능의 고선택도 기능성 나노입자 멤브레인 개발