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피도핑층 상에 희생층을 적층하는 단계;상기 희생층 상에 도핑물질을 배치하는 단계;상기 도핑물질 및 상기 피도핑층 상에 전극을 배치하는 단계; 및전기장에 의한 상기 도핑물질의 산화, 확산 및 환원 과정을 통해 상기 도핑물질을 상기 피도핑층에 도핑하는 단계를 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도핑물질을 상기 피도핑층에 도핑하는 단계는:상기 도핑물질이 산화하여 이온화되는 단계;상기 이온화된 도핑물질이 정전기적 인력에 의해 상기 희생층을 통과하여 상기 피도핑층으로 확산되는 단계; 및상기 확산된 도핑물질이 상기 피도핑층에서 환원되는 단계를 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도핑물질을 상기 피도핑층에 도핑하는 단계 이후에, 상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 피도핑층은 ITO, 금속산화막, 그래핀, 탄소나노튜브, 메탈메시 및 메탈나노와이어 중 적어도 어느 하나를 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층은 유전체로 제공되는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 5 항에 있어서,상기 유전체는 질화알루미늄(AlN) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 어느 하나를 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생층은 10 나노미터 내지 20 나노미터인전기장을 이용한 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도핑물질 및 상기 피도핑층 상에 전극을 배치하는 단계는:상기 도핑물질에 제 1 전극을 배치하는 단계; 및상기 피도핑층에 제 2 전극을 배치하는 단계를 포함하는전기장을 이용한 도핑 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양의 전극이고, 상기 제 2 전극은 음의 전극인전기장을 이용한 도핑 방법
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피도핑층; 및상기 피도핑층에 도핑된 도핑물질을 포함하고,상기 도핑물질은:상기 피도핑층 상에 희생층을 적층하고 상기 희생층 상에 도핑물질을 배치한 후 상기 도핑물질 및 상기 피도핑층 각각에 상이한 극성의 전압을 인가하면, 전기장에 의해 상기 도핑물질이 산화되어 상기 희생층을 통과하여 상기 피도핑층으로 확산된 후 상기 피도핑층에서 환원되어 상기 피도핑층에 도핑되는도핑물질이 도핑된 박막
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제 10 항에 있어서,상기 희생층은, 상기 도핑물질이 상기 피도핑층에 도핑된 후 제거되는도핑물질이 도핑된 박막
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