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반도체 기판 상에, 복수 개의 서브픽셀 단위로 구역화된 마이크로-LED를 형성하는 단계;상기 마이크로-LED 상의 적어도 일부분에 평탄층을 형성하여 평탄화하는 단계;상기 평탄층에 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화된 마이크로-LED 상에, 상기 서브픽셀 구동을 위한 TFT를 배열 및 증착하여 마이크로-LED와 TFT를 집적하는 단계;를 포함하는, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED를 형성하는 단계는, 단일 기판 상의 적어도 일부분 또는 전체에 걸쳐 단일 공정(single process)으로 서브픽셀 단위로 구역화된 마이크로-LED를 형성하는 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED를 형성하는 단계는, n-형 반도체층 상에 서브픽셀 단위로 구역화하여 3차원 발광 구조체를 형성하는 단계; 및상기 3차원 발광 구조체 상에 p-형 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 3차원 발광 구조체를 형성하는 단계는, 상기 n-형 반도체층 상에 3차원 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 3차원 구조체 상에 적어도 둘 이상의 파장이 다른 발광층 또는 광대역의 발광층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 n-형 반도체층 상에 3차원 구조체를 형성하는 단계는, n-형 반도체층 상에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 및 n-형 반도체층을 식각하거나 또는 n-형 반도체를 성장시켜 다양한 모양, 크기 또는 간격을 가지는 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 p-형 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 3차원 발광 구조체 상에 형성하거나 또는 상기 3차원 발광 구조체를 매몰되게 형성하는 것이고,상기 p-형 반도체층의 두께는 100 nm 내지 2 ㎛인 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 3차원 발광 구조체는, 3차원 구조체의 형태, 크기 및 배열간격 중 적어도 하나에 의해 발광 파장이 조절되고,상기 서브픽셀은, 동일하거나 또는 상이한 발광 파장을 갖는 3차원 발광 구조체를 포함하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 서브픽셀은, 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나를 발광하고,다색 파장의 마이크로-LED로 이루어진, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 서브픽셀은, 백색광, 광대역 파장 또는 이 둘을 발광하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 상의 적어도 일부분에 누설전류 차단층을 형성하는 단계; 및 상기 누설전류 차단층이 형성된 마이크로-LED 상의 적어도 일부분에 전류 분산층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 누설전류 차단층은 상기 마이크로-LED의 p-형 반도체층 상에 형성되고, 상기 마이크로-LED의 상부 영역이 노출되록 형성되고,상기 전류 분산층은, 상기 누설전류 차단층 및 상기 p-형 반도체층 상에 형성되는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 누설전류 차단층은, 유기물, 산화물, 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 절연성 물질을 포함하고, 가시광에 투명한 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 상에 전류 분산층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 전류 분산층은, 상기 마이크로-LED의 p-형 반도체층 상에 형성되는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 전류 분산층의 두께는, 1 nm 내지 500 nm이고,상기 전류 분산층은 단일 또는 복수층인 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 전류 분산층은, 1 nm 내지 500 nm 두께의 투명 전극층, 1 nm 내지 50 nm 두께의 금속 전극층 또는 이 둘을 포함하는 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는, 상기 전류 분산층이 형성된 상기 마이크로-LED 영역 중 TFT가 집적되는 영역에 유기물, 산화물, 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 절연층을 증착하고 평탄화하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 평탄층은, 스핀 온 글라스 물질(Spin on glass), 금속, 산화물 및 질화물 절연 물질 중 적어도 하나를 포함하고 가시광에 투명한 것인,마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 평탄층에 비아홀을 형성하는 단계는, 상기 마이크로-LED의 상부 영역 또는 측면 영역에 형성되는 것이고, 전류 분산층이 노출되는 깊이까지 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀을 통하여 TFT의 드레인 영역과 상기 전류 분산층이 접촉하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED를 형성하는 단계 및 상기 마이크로-LED와 TFT를 집적하는 단계는, 동일 반도체 기판 상에서 이루어지고, 상기 단계들 사이에 전사 공정-프리인 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 서브픽셀에 대응하는 컬러필터를 증착하는 단계;를 더 포함하는 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이의 제조방법
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백색광 또는 광대역 파장을 발광하는 서브픽셀; 및 상기 서브픽셀에 상응하는 컬러필터; 를 포함하고,TFT를 통해서 능동 구동되는, 마이크로-LED 기반 디스플레이
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제20항에 있어서,상기 디스플레이는, 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나를 발광하는 서브픽셀을 포함하고,상기 디스플레이는 다색 파장 마이크로-LED 기반인 것인, 마이크로-LED 기반 디스플레이
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