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본딩/디본딩이 용이한 마스킹 블록, 마스킹 블록의 제조 방법 및 마스킹 블록을 이용한 이차원 소재의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2021007389
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 마스킹 블록은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 감마 알루미나 박막 및 상기 감마 알루미나 박막 상에 배치되며 탄소와 산소로 도핑된 h-BN 박막을 포함한다. 상기 h-BN 박막의 탄소의 함량은 1 at% 내지 15 at%이다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/02145(2013.01) H01L 21/02129(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 2924/10325(2013.01)
출원번호/일자 1020190155421 (2019.11.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0066330 (2021.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재현 서울특별시 성북구
2 이동준 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)
2 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1228974-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0055781-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0277544-08
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.05.26 1-1-2021-0607019-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2021-0607020-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치된 감마 알루미나 박막; 및상기 감마 알루미나 박막 상에 배치되며 탄소와 산소로 도핑된 h-BN 박막을 포함하고,상기 h-BN 박막의 탄소의 함량은 1 at% 내지 15 at%인, 마스킹 블록
2 2
제1항에 있어서, 상기 h-BN 박막의 산소의 함량은 1 at% 내지 10 at%인 것을 특징으로 하는 마스킹 블록
3 3
제1항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막에 대한 상기 h-BN 박막의 커버리지는 1 미만인 것을 특징으로 하는 마스킹 블록
4 4
제3항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막에 대한 상기 h-BN 박막의 커버리지는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 h-BN 박막의 두께는 1nm 이하인 것을 특징으로 하는 마스킹 블록
6 6
성장 기판 상에 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 마스킹 블록을 가압하여 상기 성장 기판과 상기 마스킹 블록을 접착시키는 단계; 상기 성장 기판 상에 소스 물질을 제공하여 이차원 소재의 패턴을 합성하는 단계; 및상기 성장 기판으로부터 상기 마스킹 블록을 분리하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 이차원 소재는 그래핀을 포함하며, 상기 패턴은 상기 마스킹 블록과 상기 성장 기판의 접착 계면에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 그래핀의 합성은, 탄소 소스와 산소 함유 물질을 포함하는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 이차원 소재는 h-BN 또는 전이금속 디칼코게나이드를 포함하며, 상기 마스킹 블록이 접착되지 않은 상기 성장 기판의 노출된 표면 상에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
10 10
베이스 기판 위에 비정질 알루미나 박막을 형성하는 단계;상기 비정질 알루미나 박막을 열처리 하여 감마 알루미나 박막을 형성하는 단계; 및상기 감마 알루미나 박막 위에, 탄소와 산소로 도핑되고 탄소의 함량은 1 at% 내지 15 at%인 h-BN 박막을 형성하는 단계를 포함하는 마스킹 블록의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막의 두께는 5nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 마스킹 블록의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막의 평균표면조도(Rq, Root mean square roughness)는 0
13 13
제10항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막에 대한 상기 h-BN 박막의 커버리지는 0
14 14
제10항에 있어서, 상기 h-BN 박막의 산소의 함량은 1 at% 내지 10 at%인 것 특징으로 하는 마스킹 블록의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 이종 이차원소재 다층 구조 합성법 기반의 전광 모듈레이터 특성 연구