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이차원 소재로 이루어진 성장층을 포함하는 성장 기판과 마스킹 블록 사이에 액상 하이드로 카본을 제공하는 단계;상기 성장 기판과 상기 마스킹 블록을 물리적으로 접촉한 상태에서 가열하여 상기 성장 기판과 상기 마스킹 블록을 본딩하는 단계; 상기 성장 기판 상에 소스 물질을 제공하여 이차원 소재의 패턴을 합성하는 단계; 및상기 성장 기판으로부터 상기 마스킹 블록을 분리하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장 기판과 상기 마스킹 블록을 본딩하는 단계에서, 상기 성장 기판과 상기 마스킹 블록 사이의 계면 영역에는 미세 그래핀이 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 소재의 패턴은 그래핀을 포함하며, 상기 패턴은 상기 마스킹 블록과 상기 성장 기판의 사이의 계면 영역에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 그래핀의 합성은, 탄소 소스와 산소 함유 물질을 포함하는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 소재의 패턴은 h-BN 또는 전이금속 디칼코게나이드를 포함하며, 상기 마스킹 블록이 접착되지 않은 상기 성장 기판의 노출된 표면 상에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장층은, 그래핀, h-BN 및 전이금속 디칼코게나이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 마스킹 블록은, 상기 성장층과 대향하는 감마 알루미나 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막의 평균표면조도(Rq, Root mean square roughness)는 1nm 이하이고, 두께는 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 액상 하이드로 카본은, 알콜류, 케톤류, 방향족 화합물 및 지환족 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 소재의 패턴의 합성은 화학기상증착(CVD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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이차원 소재로 이루어진 성장층을 포함하는 성장 기판과 제1 마스킹 블록 사이에 액상 하이드로 카본을 제공하는 단계;상기 성장 기판과 상기 제1 마스킹 블록을 물리적으로 접촉한 상태에서 가열하여 상기 성장 기판과 상기 제1 마스킹 블록을 본딩하는 단계; 탄소 소스와 산소 함유 물질을 포함하는 분위기에서 화학기상증착을 수행하여, 상기 제1 마스킹 블록과 상기 성장 기판의 사이의 계면 영역에 선택적으로 제1 그래핀 박막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 마스킹 블록과 상기 성장 기판을 분리하는 단계;상기 성장 기판과 제2 마스킹 블록을 본딩하는 단계;상기 제1 그래핀 박막 패턴과 상기 성장 기판의 노출된 표면 위에 선택적으로 h-BN 박막 패턴을 형성하는 단계;상기 성장 기판과 상기 제2 마스킹 블록을 분리하는 단계;상기 h-BN 박막 패턴과 제3 마스킹 블록을 본딩하는 단계;상기 제3 마스킹 블록과 상기 h-BN 박막 패턴 사이의 계면 영역에 선택적으로 제2 그래핀 박막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 성장 기판과 상기 제3 마스킹 블록을 분리하는 단계를 포함하는 커패시터의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 마스킹 블록은 각각 감마 알루미나 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 감마 알루미나 박막의 평균표면조도(Rq, Root mean square roughness)는 1nm 이하이고, 두께는 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 액상 하이드로 카본은, 알콜류, 케톤류, 방향족 화합물 및 지환족 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조 방법
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이차원 소재를 포함하는 성장층; 상기 성장층 위에 직접 형성된 하부 그래핀 패턴; 하부 그래핀 패턴 위에 직접 형성되며, 10nm 내지 200nm의 두께를 갖는 h-BN 패턴; 및 상기 h-BN 패턴 위에 직접 형성된 상부 그래핀 패턴을 포함하는 커패시터
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제15항에 있어서, 상기 성장층은, 그래핀, h-BN 및 전이금속 디칼코게나이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터
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