| 1 |
1
자기 다층 시스템을 생성하는 단계; 및상기 자기 다층 시스템의 자기이방성(Keff) 및 자화(Ms) 값을 조절함으로써 400℃ 이상에서 스커미온을 생성하는 단계를 포함하는 자기 다층 시스템에서 스커미온의 생성 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 자기이방성(Keff)의 값은 0 ~ 2
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 스커미온을 생성하는 단계는, DMI(Dzyaloshinskii-Moriya Interaction) 값을 추가적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 DMI는 1
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 자기 다층 시스템은,제1 하부층, 상기 제1 하부층 상에 형성된 제1 자성층,상기 제1 자성층 상에 형성된 제1 상부층,상기 제1 상부층 상에 형성된 제2 하부층,상기 제2 하부층 상에 형성된 제2 자성층 및상기 제2 자성층 상에 형성된 제2 상부층을 포함하고,상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층은 상이한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은, CoxFe1-x (단, x는 0~1) 및 CoyFe1-y-zBz (단, z는 0~0
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 제1 하부층 및 제2 하부층은 동일한 물질로 형성되고,상기 제1 상부층 및 제2 상부층은 동일한 물질로 형성되며,상기 제1 하부층 및 제2 하부층을 형성하는 물질과, 상기 제1 상부층 및 상기 제2 상부층을 형성하는 물질은 상이하며,상기 제1 하부층, 상기 제2 하부층, 상기 제1 상부층 및 상기 제2 상부층의 각각은, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt 및 Ru 를 포함하는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 방법
|
| 8 |
8
자기 다층 시스템; 및상기 자기 다층 시스템의 자기이방성(Keff) 및 자화(Ms) 값을 조절함으로써 400℃ 이상에서 스커미온을 생성하는 스커미온 생성부를 포함하는 스커미온 생성 장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 스커미온 생성부는,상기 자기이방성(Keff)의 값을 0 ~ 2
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 스커미온 생성부는, DMI(Dzyaloshinskii-Moriya Interaction) 값을 추가적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 스커미온 생성부는, 상기 DMI를 1
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 자기 다층 시스템은,제1 하부층, 상기 제1 하부층 상에 형성된 제1 자성층,상기 제1 자성층 상에 형성된 제1 상부층,상기 제1 상부층 상에 형성된 제2 하부층,상기 제2 하부층 상에 형성된 제2 자성층 및상기 제2 자성층 상에 형성된 제2 상부층을 포함하고,상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층은 상이한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 제1 자성층 및 제2 자성층은, CoxFe1-x (단, x는 0~1) 및 CoyFe1-y-zBz (단, z는 0~0
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 제1 하부층 및 제2 하부층은 동일한 물질로 형성되고,상기 제1 상부층 및 제2 상부층은 동일한 물질로 형성되며,상기 제1 하부층 및 제2 하부층을 형성하는 물질과, 상기 제1 상부층 및 상기 제2 상부층을 형성하는 물질은 상이하며,상기 제1 하부층, 상기 제2 하부층, 상기 제1 상부층 및 상기 제2 상부층의 각각은, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt 및 Ru 를 포함하는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 스커미온의 생성 장치
|
