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형상기억 고분자를 포함하는 기판을 인장하는 단계;상기 인장된 기판 상에 금속 나노섬유 네트워크를 형성하는 단계; 및상기 금속 나노섬유 네트워크가 형성된 기판에 가해진 응력을 제거하여 구부러진 형태의 금속 나노섬유를 포함하는 금속 나노섬유 네트워크를 형성하는 단계; 를 포함 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 형상기억 고분자는 2개 이상의 전이온도를 갖는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 형상기억 고분자는 폴리노보넨, 트랜스 폴리 이소프렌, 스티렌-부타디엔, 폴리사이클로옥텐 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 인장하는 단계는 상기 기판의 초기 면적에 비하여 105 % 내지 250 %가 되도록 인장하여 수행되는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노섬유 네트워크를 형성하는 단계는 상기 기판상에 전기 방사 방법에 의해 기 제조된 금속 나노섬유 네트워크를 전사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 구부러진 구조의 금속 나노섬유 네트워크를 형성하는 단계는 상기 형상기억 고분자의 전이온도 이상의 온도를 가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재의 제조방법
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형상기억 고분자를 포함하는 기판; 및상기 기판상에 위치하는 구부러진 형태의 금속나노섬유를 포함하는 금속나노섬유 네트워크;를 포함하는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항에 있어서,상기 기판의 두께는 20 μm내지 1,000 μm인 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항에 있어서,상기 형상기억 고분자는 2개 이상의 전이온도를 갖는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항에 있어서,상기 형상기억 고분자는 폴리노보넨, 트랜스 폴리 이소프렌, 스티렌-부타디엔, 폴리사이클로옥텐 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항에 있어서,상기 금속 나노섬유 네트워크의 두께는 0
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제 8 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항에 있어서,외부자극에 의해 가시광선 투과도가 제어되는 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 14 항에 있어서,상기 외부자극은 열, 빛, 전기, 자기, pH, 효소, 이온 및 이들의 조합으로 구성된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 형상기억 고분자 복합재
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제 8 항의 형상기억 고분자 복합재를 포함하는 투명전극
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