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전고상 박막 이차전지용 박막봉지 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2021010132
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에서는, 파릴렌(Parylene)을 포함하는 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 적층된 무기물층;을 포함하는, 하이브리드 박막 봉지가 제공된다.
Int. CL H01M 50/10 (2021.01.01) H01M 10/058 (2010.01.01) C23C 28/00 (2006.01.01) C23C 14/12 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01) H01M 10/0562 (2010.01.01)
CPC H01M 50/124(2013.01) H01M 50/124(2013.01) H01M 50/116(2013.01) H01M 10/058(2013.01) C23C 28/00(2013.01) C23C 14/12(2013.01) C23C 16/345(2013.01) C23C 18/1208(2013.01) C23C 18/1295(2013.01) H01M 10/0562(2013.01) H01M 2300/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020200017743 (2020.02.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0103243 (2021.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 접수중
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 서울특별시 성북구
2 최원국 서울특별시 성북구
3 이현석 서울특별시 성북구
4 임근용 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0154694-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0094212-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0405972-40
5 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2021.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-0843923-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.08.23 접수중 (On receiving) 1-1-2021-0970038-82
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-0970040-74
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번호 청구항
1 1
파릴렌(Parylene)을 포함하는 유기물층; 및상기 유기물층 상에 적층된 무기물층;을 포함하는, 하이브리드 박막 봉지
2 2
제1항에 있어서,상기 유기물층은 1 내지 10 ㎛ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지
3 3
제1항에 있어서,상기 무기물층은 질화규소(SiNx)층, 질화산화규소(SiNxOy)층, 및 산화규소(SiOy)층 중 하나 이상을 포함하는 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지
4 4
제3항에 있어서,상기 무기물층은 질화규소(SiNx)층, 질화산화규소(SiNxOy)층, 및 산화규소(SiOy)층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지
5 5
제3항에 있어서,상기 질화규소(SiNx)층은 100 내지 800 nm 두께를 갖고, 상기 질화산화규소(SiNxOy)층은 3 내지 8 nm 두께를 갖고, 상기 산화규소(SiOy)층은 50 내지 200 nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지
6 6
제1항에 있어서,상기 하이브리드 박막 봉지의 두께는 10 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지
7 7
전기화학 소자; 및 상기 전기화학 소자 상에 적층된, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 하이브리드 박막 봉지;를 포함하며,상기 하이브리드 박막 봉지는 파릴렌(Parylene)을 포함하는 유기물층 및 상기 유기물층 상에 적층된 무기물층을 포함하는, 이차 전지
8 8
제7항에 있어서
9 9
전기화학 소자 상에 파릴렌(Parylene)을 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 유기물층 상에 무기물층을 형성하는 단계;를 포함하는, 하이브리드 박막 봉지 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 무기물층 형성 단계는,질화규소(SiNx)층을 증착하는 단계;질화규소(SiNx)층 상에 SiO2 졸(silica sol)을 코팅하는 단계; 및SiO2 졸을 열처리하여 산화규소(SiOy)층, 및 질화규소(SiNx)층과 산화규소(SiOy)층의 사이에 질화산화규소(SiNxOy)층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 질화산화규소(SiNxOy)층은 질화규소(SiNx)층과 산화규소(SiOy)층의 계면에 SiNx과 SiOy의 고상확산에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 질화산화규소(SiNxOy)층은 80 내지 160 ℃의 온도로 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 질화산화규소(SiNxOy)층은 5 시간 내지 15 시간동안 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 박막 봉지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.