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레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지(Method of fabricating cathode for thin film battery using laser, cathode fabricated thereby, and thin film battery including the same)

  • 기술번호 : KST2016010205
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 전지용 양극 형성 방법은, 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계; 및 상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계;를 포함할 수 있다. 양극 활물질은 상온에서 기판 상에 증착될 수 있고, 레이저를 이용하여 저온에서 양극 활물질을 결정화함으로써 가볍고 가공이 용이한 고분자 기판을 사용할 수 있게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 제조 방법으로 제조된 양극을 포함하는 박막 전지는 높은 방전 용량 등 우수한 충·방전 특성을 갖는다.
Int. CL H01M 4/139 (2010.01) H01M 4/62 (2006.01) H01M 10/058 (2010.01) H01M 4/36 (2006.01)
CPC H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/139(2013.01)
출원번호/일자 1020140153627 (2014.11.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1637938-0000 (2016.07.04)
공개번호/일자 10-2016-0054255 (2016.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.06)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 대한민국 서울특별시 성북구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 성북구
3 김진상 대한민국 서울특별시 성북구
4 강종윤 대한민국 서울특별시 성북구
5 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
6 김성근 대한민국 서울특별시 성북구
7 권범진 대한민국 서울특별시 성북구
8 임해나 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1070062-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0024567-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0754936-06
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-1291836-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0026542-88
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0026610-95
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0446854-04
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번호 청구항
1 1
고분자 또는 종이 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계; 및상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 증착 및 결정화는 5 내지 35℃의 상온에서 수행하는 것이며,상기 결정화된 양극 활물질로 이루어지는 양극 박막은 균열, 박리 또는 용융 영역을 나타내지 않는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 엑시머 레이저는 KrF 또는 ArF 소스를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계는, 10 나노초(ns) 미만 동안 상기 양극 활물질에 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계는, 상기 양극 활물질에 1 mJ/cm2 이상 80 mJ/cm2 미만의 에너지를 갖는 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계는, 상기 양극 활물질에 1 회 이상 2000 회 이하의 횟수로 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 레이저는 KrF 소스를 이용하는 엑시머 레이저이며,상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계는, 상기 양극 활물질에 500 회 이상 2000 회 이하의 횟수로 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계 이전에,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 버퍼층은 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계 이전에,상기 기판 상에 양극 전류 집전체를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 양극 활물질은 LiNi0
14 14
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계는, 상기 양극 활물질을 수십 nm 내지 수 um 의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극 제조 방법
15 15
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 박막 전지용 양극 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 박막 전지용 양극
16 16
기판;상기 기판 상에 형성된 양극 전류 집전체;상기 양극 전류 집전체 상에 형성된 양극;상기 양극 상에 형성된 전해질층; 및상기 전해질층 상에 형성된 음극;을 포함하되, 상기 기판은 고분자 물질 또는 종이로 이루어지는 것이고,상기 양극은 레이저에 의하여 결정화된 것이고, 상기 양극은 5 내지 35℃의 상온에서 증착 및 결정화된 것이며, 균열, 박리 또는 용융 영역을 나타내지 않는 것을 특징으로 하는 박막 전지
17 17
제 16 항에 있어서,상기 양극의 일면과 상기 양극 전류 집전체의 일면은 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 전지
18 18
제 16 항에 있어서,상기 기판과 상기 양극 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지
19 19
제 18 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 양극으로부터 상기 기판으로의 열 전달을 방해하는 열차단층의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 박막 전지
20 20
제 18 항에 있어서,상기 버퍼층은 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 전지
21 21
제 16 항에 있어서,상기 양극은 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 박막 전지용 양극 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 박막 전지
22 22
제 16 항에 있어서, 상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 전해질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지
23 23
제 16 항에 있어서, 상기 음극 상에 상기 박막 전지의 산화를 방지하는 배리어 필름층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160133917 US 미국 FAMILY
2 WO2016072664 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016133917 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.