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전도성 나노 소재, 고분자 재료 및 이온성 액체를 포함하는신축성 전극 잉크 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 소재, 고분자 재료 및 이온성 액체는 1:1:0
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 소재는 탄소나노튜브, 그래핀, 금속 나노선 및 전도성 고분자 중 적어도 하나인 신축성 전극 잉크 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 재료는 호모폴리머, 공중합체, 다중 공중합체 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인 신축성 전극 잉크 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 신축성 전극 잉크 조성물
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용매에 제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 용해시켜 전극 잉크를 제조하는 단계; 및 상기 전극 잉크를 기판상에 인쇄하는 단계;를 포함하는 신축성 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 전극 잉크를 제조하는 단계는 50 내지 200℃의 온도에서 수행하는 신축성 전극의 제조방법
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제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 포함하는 전극 잉크를 이용하여 기판상에 서로 이격 배치되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하는 단계;반도체 잉크를 이용하여 상기 기판상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 반도체층을 인쇄하는 단계; 이온 젤 잉크를 이용하여 상기 반도체층 상에 유전체층을 인쇄하는 단계; 및전도성 잉크를 이용하여 상기 유전체층 상에 게이트 전극을 인쇄하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 이용하여 기판상에 서로 이격 배치되도록 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하는 단계;반도체 잉크를 이용하여 상기 기판상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 반도체층을 인쇄하는 단계; 및이온 젤 잉크를 이용하여 상기 반도체층 상에 유전체층을 인쇄하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 반도체 잉크는 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리(2-헥실티오펜), 폴리(3,3’’’-디도데실쿼터티오펜)(PQT-12), 폴리(9,9’-다이옥틸 플로오렌-코-비티오펜)(F8T2) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 이온 젤 잉크는 고분자 재료 및 이온성 액체를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하기 전, 상기 기판을 100 내지 130℃의 온도로 유지하는 단계;를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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13
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하기 전, 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 신축성 전극 잉크, 반도체 잉크 및 이온 젤 잉크 중 적어도 하나를 건조시키는 단계;를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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용매에 다중벽 탄소나노튜브, 고분자 재료 및 이온성 액체를 용해시켜 인버터 저항 잉크를 제조하는 단계; 상기 저항 잉크를 신축성 기판상에 인쇄하여 인터버 저항을 형성하는 단계; 및상기 인버터 저항과 상기 제 9 항의 제조방법으로 제조된 박막 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는 신축성 인버터의 제조방법
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