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신축성 전극 잉크 조성물, 이를 이용한 신축성 전극 및 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021010307
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신축성 전극 잉크 조성물, 이를 이용한 신축성 전극 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 전도성 나노 소재, 고분자 재료 및 이온성 액체를 포함하는 신축성 전극 잉크 조성물, 이를 이용한 신축성 전극 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C09D 11/52 (2014.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01)
CPC C09D 11/52(2013.01) H01L 51/0005(2013.01) H01L 51/0508(2013.01)
출원번호/일자 1020200024478 (2020.02.27)
출원인 인하대학교 산학협력단, 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0109717 (2021.09.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.27)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이근형 인천광역시 남구
2 홍기현 경기도 부천시 소사구
3 조경국 경기도 부천시 범안로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0209958-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0037668-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0252518-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0622849-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2021-0622848-29
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번호 청구항
1 1
전도성 나노 소재, 고분자 재료 및 이온성 액체를 포함하는신축성 전극 잉크 조성물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 소재, 고분자 재료 및 이온성 액체는 1:1:0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노 소재는 탄소나노튜브, 그래핀, 금속 나노선 및 전도성 고분자 중 적어도 하나인 신축성 전극 잉크 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 고분자 재료는 호모폴리머, 공중합체, 다중 공중합체 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인 신축성 전극 잉크 조성물
5 5
제 1 항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 신축성 전극 잉크 조성물
6 6
용매에 제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 용해시켜 전극 잉크를 제조하는 단계; 및 상기 전극 잉크를 기판상에 인쇄하는 단계;를 포함하는 신축성 전극의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전극 잉크를 제조하는 단계는 50 내지 200℃의 온도에서 수행하는 신축성 전극의 제조방법
8 8
제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 포함하는 전극 잉크를 이용하여 기판상에 서로 이격 배치되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하는 단계;반도체 잉크를 이용하여 상기 기판상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 반도체층을 인쇄하는 단계; 이온 젤 잉크를 이용하여 상기 반도체층 상에 유전체층을 인쇄하는 단계; 및전도성 잉크를 이용하여 상기 유전체층 상에 게이트 전극을 인쇄하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제 1 항의 신축성 전극 잉크 조성물을 이용하여 기판상에 서로 이격 배치되도록 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하는 단계;반도체 잉크를 이용하여 상기 기판상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 연결하는 반도체층을 인쇄하는 단계; 및이온 젤 잉크를 이용하여 상기 반도체층 상에 유전체층을 인쇄하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 반도체 잉크는 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리(2-헥실티오펜), 폴리(3,3’’’-디도데실쿼터티오펜)(PQT-12), 폴리(9,9’-다이옥틸 플로오렌-코-비티오펜)(F8T2) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 이온 젤 잉크는 고분자 재료 및 이온성 액체를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하기 전, 상기 기판을 100 내지 130℃의 온도로 유지하는 단계;를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 인쇄하기 전, 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 신축성 전극 잉크, 반도체 잉크 및 이온 젤 잉크 중 적어도 하나를 건조시키는 단계;를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
15 15
용매에 다중벽 탄소나노튜브, 고분자 재료 및 이온성 액체를 용해시켜 인버터 저항 잉크를 제조하는 단계; 상기 저항 잉크를 신축성 기판상에 인쇄하여 인터버 저항을 형성하는 단계; 및상기 인버터 저항과 상기 제 9 항의 제조방법으로 제조된 박막 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는 신축성 인버터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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