| 1 |
1
반응성 라디컬을 사용하여 실리콘, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 기판에서 실리콘 또는 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하고,상기 식각가스는 탄소를 포함하지 않고, 2종 이상의 할로겐 원소를 포함하는 화합물 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 식각가스는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 식각가스는 수소 원자를 포함하는 가스 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 식각가스는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물 가스를 포함하고,상기 수소 원자를 포함하는 가스는 NH3 또는 H2를 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 5 |
5
반응성 라디컬을 사용하여 실리콘, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 포함하는 반도체 기판에서 실리콘 또는 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하고,상기 식각가스는 염소(Cl) 포함 가스 화합물 및 브롬(Br) 포함 가스 화합물 중 하나와 NF3를 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 식각가스가 Cl2 및 NF3를 포함하는 경우,상기 Cl2 및 NF3는 1 : 2 내지 6 의 부피비로 포함되는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 Cl2 및 NF3는 1 : 2 내지 4 의 부피비로 포함되는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 식각하는 단계 후, 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 식각비는 400 이상인 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 9 |
9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각하는 단계 전에, 상기 반도체 기판에 산소 라디컬을 공급하여, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막에 의해 노출된 기판 상에 산화막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 식각하는 단계 및 산화막을 형성하는 단계는, 적어도 1회 이상의 사이클로 수행되는 것을 특징으로 하는,C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
|
| 11 |
11
제10항에 따른 실리콘 질화막 건식 식각 방법을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법
|
