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청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 및 이의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자

  • 기술번호 : KST2021010990
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 유무기 하이브리드 화합물을 포함하는 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 및 이의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자에 대한 것이다. [화학식 1] AM(IxBryClz)3 본 발명의 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막은 단일상을 가짐과 동시에 청색(380 - 500 nm) 범위의 밴드갭을 가지므로 청색광을 불순물 없이 높은 정확도로 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막을 사용한 전자소자는 자체적으로 색상 구현하므로 컬러 필터 등의 추가적인 소자가 필요 없다. 그리고, 본 발명의 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법은 대면적 구현이 가능한 용액공정으로 제조되어, 경제적이고, 반복 생산이 용이하고, 생산 수율이 높다.
Int. CL C07F 7/24 (2006.01.01) H01L 27/30 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200150774 (2020.11.12)
출원인 경북대학교 산학협력단, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0104544 (2021.08.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200018765   |   2020.02.17
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대구광역시 북구
2 윤영훈 대구광역시 북구
3 조한별 경상북도 구미시
4 최원창 대구광역시 북구
5 김동회 서울특별시 강남구
6 최영진 서울특별시 강남구
7 강석범 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-1210848-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.02.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068226-87
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068232-51
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번호 청구항
1 1
페로브스카이트 박막으로서, 상기 페로브스카이트 박막의 결정상은 단일상이며, 상기 페로브스카이트 박막의 밴드갭은 2
2 2
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막의 결정상은 입방정계(Cubic)인 것을 특징으로 하는청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막
3 3
제 1 항에 있어서,상기 청색광 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막은 상기 할로겐 원소 조성비의 몰수 x, y, z가 0≤x≤0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 청색광 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막은 2성분계 할로겐 원소 조성 또는 3성분계 할로겐 원소 조성인 것을 특징으로 하는 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막
5 5
제 4 항에 있어서,상기 청색광 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막은 상기 2성분계 할로겐 원소 조성으로에너지 분산 X선 분광법(EDS)을 통해 분석된 성분 조성은MAPb(Br0
6 6
제 4 항에 있어서,상기 청색광 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막은 상기 3성분계 할로겐 원소 조성으로에너지 분산 X선 분광법(EDS)을 통해 분석된 성분 조성은MAPb(I0
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1) AX(X=I, Br, 또는 Cl)와 MX2(X=I, Br, 또는 Cl)를 극성 용매에 용해하여 단일 할로겐 조성의 AMX3(X=I, Br, 또는 Cl) 용액을 제조하는 단계; 2) 상기 단일 할로겐 조성의 AMX3(X=I, Br, 또는 Cl) 용액을 혼합하여 하기 화학식 1로 표시되는 유무기 하이브리드 화합물을 포함하는 혼합 할로겐 조성 용액을 제조하는 단계; 3) 상기 혼합 할로겐 조성 용액을 UV-오존 처리된 기판 상에 적하한 후 스핀 코팅하는 단계; 및 4) 상기 코팅된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 스핀 코팅하는 단계에서스핀 코팅 시작 후 스핀 코팅 종료 전 비극성 용매를 적하하여 코팅된 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 극성 용매는 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 메탄올, 벤질알코올 에틸아세테이트, 테트라하이드로퓨란, 디클로로메탄, 아세토니트릴, 트리메틸포스페이트(trimethylphosphate), 헥사메틸포스포아마이드(Hexamethylphosphoramide), 및 물 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 비극성 용매는 디에틸에테르(DEE), 디프로필에테르(DPE), 사이클로헥산, 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 및 클로로포름 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 청색광을 수광 또는 발광하는 페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
11 11
페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법으로서기계화학적 합성방법으로 2성분계 할로겐 원소 또는 3성분계 할로겐 원소의 페로브스카이트 할로겐화물 분말을 화학양론적 조성으로 합성한 후 청색광을 수광하는 조성 영역을 도출한 다음 상기 조성 영역의 페로브스카이트 할로겐화물 박막을 용액방식으로 제조하는 것을 포함하는페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
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상기 기계화학적 합성방법은 1) AX(X=I, Br, 또는 Cl)와 MX2(X=I, Br, 또는 Cl)를 비극성 용매와 혼합한 후 볼과 함께 용기에 넣고 볼밀링한 다음 상기 비극성 용매를 제거하여 단일 할로겐 조성의 AMX3(X=I, Br, 또는 Cl) 페로브스카이트 할로겐화물 분말을 제조하는 단계; 및 2) 상기 단일 할로겐 조성의 AMX3(X=I, Br, 또는 Cl) 페로브스카이트 할로겐화물 분말을 혼합한 후 볼과 함께 용기에 넣고 볼밀링하여 혼합 할로겐 조성의 페로브스카이트 할로겐화물 분말을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는페로브스카이트 할로겐화물 박막 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막을 이용하여 제조된 광센서 소자
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막을 이용하여 제조된 이미지 센서 소자
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막을 이용하여 제조된 발광 다이오드(LED) 소자
16 16
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막을 이용하여 제조된 태양전지
17 17
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막을 이용하여 제조된 광전 변환소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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2 과학기술정보통신부 미래소재디스커버리사업 R/G/B 대응 할라이드계 페로브스카이트 소재기반 컬러필터가 필요 없는 적층형 이미지센서 개발 연구