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기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 구동층; 및상기 구동층 내에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 광흡수층은 상기 게이트 전극을 포함한 기판 및 상기 게이트 절연층 사이에 형성된 것이며;상기 광흡수층은, CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe 및 MgSe로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기 반도체 또는 이들의 합금; P3HT, MDMO-PPV, MEH-PPV, P3OT, PPV, TFB, POT, PCPDTBT, PCDTBT, PTPTB, PSBTBT, P2, pBBTDPP2, PFDTBT, PSiF-DBT, APFO-15, HXS-1, PFO-PTBT, PBEHTB 및 PF-co-DTB로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 고분자; 또는 상기 무기 반도체와 전도성 고분자의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 플라스틱, 사파이어, 석영, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리노르보넨 및 폴리에테르선폰으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 산화 알루미늄, 산화 이트륨, 산화 아연, 산화 하프뮴, 산화 지르코늄, 산화 탄탈륨 및 산화 티타늄으로 이루어진 무기물; 또는비닐계 고분자, 스티렌계 고분자, 아크릴계 고분자, 에폭시계 고분자, 에스테르계 고분자, 페놀계 고분자, 이미드계 고분자 및 사이클로 알켄으로 이루어진 유기물로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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제1항에 있어서,상기 구동층은 유기반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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제4항에 있어서,상기 유기반도체는 액정 폴리플루오렌 블록공중합체, 펜타센 및 폴리사이오핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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삭제
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 폭은 70nm~1mm 인 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 구동층을 형성하는 단계; 및상기 구동층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하며;상기 광흡수층은, CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe 및 MgSe로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기 반도체 또는 이들의 합금; P3HT, MDMO-PPV, MEH-PPV, P3OT, PPV, TFB, POT, PCPDTBT, PCDTBT, PTPTB, PSBTBT, P2, pBBTDPP2, PFDTBT, PSiF-DBT, APFO-15, HXS-1, PFO-PTBT, PBEHTB 및 PF-co-DTB로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 고분자; 또는 상기 무기 반도체와 전도성 고분자의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 레이저 어블레이션 및 졸-겔 스핀코팅법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 단계는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 승화법, 용액법, 열증발법, 유기분자빔증착법, 스핀코팅법 및 딥코팅법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 구동층을 형성하는 단계는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 승화법, 용액법, 열증발법, 유기분자빔증착법, 스핀코팅법 및 딥코팅법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 광흡수 유기광전소자 제조방법
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