| 1 |
1
집전체 상부에 주 고분자와 설폰산 작용기 함유 고분자를 포함하는 기공 구조의 복합 고분자 구조체로 구성된 음전하를 띄는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 주 고분자는 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 폴리비닐피롤리돈, 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리벤즈이미다졸로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 설폰산 작용기 함유 고분자는 설포네이티드 폴리(에테르에테르 케톤), 설포네이티드 폴리(아릴렌 에테르 설폰), 설포네이티드 폴리이미드, 설포네이티드 폴리(플루오레닐 에테르 케톤) 및 설포네이티드 폴리(플루오레닐 에테르 케톤 설폰)으로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 집전체는 아연, 구리, 스테인리스 스틸, 티타늄, 백금, 카본 플레이트 및 그라파이트 플레이트로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 복합 고분자 구조체의 기공 크기는 20nm 내지 3㎛이고, 기공률은 40~90%인 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 전착유도층의 두께는 5~300마이크론인 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 복합 고분자 구조체는 폴리에테르설폰과 설포네이티드 폴리(에테르에테르 케톤)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 폴리에테르설폰은 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 설포네이티드 폴리(에테르에테르 케톤)은 화학식 2로 표현되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 복합 고분자 구조체는 주 고분자와 설폰산 작용기 함유 고분자를 용매에 용해시켜 캐스팅하고 난 다음 상반전(phase inversion) 방법을 수행하여 수득하는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 아연 금속 전극인 것을 특징으로 하는 금속 전극
|
| 12 |
12
다음 단계를 포함하는 금속 전극의 제조방법:(a) 주 고분자와 설폰산 작용기 함유 고분자를 용매에 용해시켜 캐스팅하고 난 다음 상반전(phase inversion) 방법을 수행하여 복합 고분자 구조체를 수득하는 단계;(b) 상기 수득된 복합 고분자 구조체를 전해질 용액에 함침시키는 단계; 및(c) 상기 함침된 복합 고분자 구조체를 집전체 표면에 위치시켜 전착유도층을 형성하는 단계
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,(a) 폴리에테르설폰(PES)과 설포네이티드 폴리(에테르에테르 케톤)(SPEEK)을 용매에 용해시켜 캐스팅하고 난 다음 상반전 방법을 수행하여 PES/SPEEK 멤브레인을 수득하는 단계;(b) 상기 수득된 PES/SPEEK 멤브레인을 전해질 용액에 함침시키는 단계; 및(c) 상기 함침된 PES/SPEEK 멤브레인을 집전체 표면에 위치시켜 전착유도층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전극의 제조방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서, 상기 주 고분자는 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 폴리비닐피롤리돈, 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리벤즈이미다졸로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극의 제조방법
|
| 15 |
15
제12항에 있어서, 상기 설폰산 작용기 함유 고분자는 설포네이티드 폴리(에테르에테르 케톤), 설포네이티드 폴리(아릴렌 에테르 설폰), 설포네이티드 폴리이미드, 설포네이티드 폴리(플루오레닐 에테르 케톤) 및 설포네이티드 폴리(플루오레닐 에테르 케톤 설폰)으로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전착유도층을 포함하는 금속 전극의 제조방법
|
| 16 |
16
제12항에 있어서, 상기 용매는 디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 아세트로나이트릴 및 디메틸설폭사이드로 구성된 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법
|
| 17 |
17
제12항에 있어서, 상기 전해질은 황산아연, 브로민화아연, 트리플루로메탄술포네이트화아연, 염화아연, 과염소산염화아연, 질산아연, 황산망간 및 황산소듐으로 구성된 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법
|
| 18 |
18
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 금속 전극을 포함하는 금속 전지
|
| 19 |
19
제18항에 있어서, 상기 금속 전극은 아연 금속 전극인 것을 특징으로 하는 금속 전지
|
