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순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 구조물을 형성하는 제1 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 제거하여 메사 구조를 형성하는 제2 단계;를 포함하고,상기 제2 단계는,플라즈마 식각 공정으로 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하여 상기 메사 구조를 형성하는 단계; 및상기 플라즈마 식각 공정에 의해 형성된 상기 메사 구조의 면에 대해 원자층 식각 공정(Atomic Layer Etching)을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 원자층 식각 공정은 이온빔, 중성빔 및 전자빔 중 하나의 리모트(remote) 식각 소스를 이용하는 건식 식각 공정인 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제2 항에 있어서,상기 원자층 식각 공정에서는,상기 반도체 구조물의 표면에 화학적으로 흡착되는 제1 기체를 이용하여 상기 반도체 구조물의 표면에 흡착층을 형성하는 제1 공정; 및 상기 식각 소스를 생성하는 제2 기체를 이용하여 상기 흡착층 중 일부 및 상기 반도체 구조물을 식각하는 제2 공정으로 이루어진 사이클이 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제3 항에 있어서,상기 제1 기체는 할로겐 원소를 하나 이상 포함하고,상기 제2 기체는 할로겐 원소 및 불활성 기체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 원자층 식각 공정은,상기 식각 소스를 발생시키는 제1 챔버, 상기 반도체 구조물이 배치되는 제2 챔버 및 상기 제1 챔버로부터 상기 식각 소스를 추출하여 상기 제2 챔버 내의 상기 반도체 구조물에 조사하는 식각 소스 추출기를 구비하는 리모트 식각 장치를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 식각 소스는 상기 제2 도전형 반도체층의 표면에 대해 20° 이상 70° 이하의 각도로 경사지게 조사되는 것을 특징으로 하는, 반도체 발광소자의 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 메사 구조는 상부면의 외곽 모서리 길이(L)에 대한 면적(A)의 비율(L/A)이 0
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제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체 상부에 배치된 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 구비하고, 메사 구조를 갖는 반도체 구조물을 포함하고,상기 반도체 구조물은 1uA의 비발광 전류 및 20uA의 발광 전류를 상기 반도체 구조물에 인가한 경우 제1 동작 전압 및 제2 동작 전압 특성들을 각각 나타내고,상기 메사 구조 상부면의 외곽 모서리 길이(L)에 대한 면적(A)의 비율(L/A)이 0
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제8항에 있어서,상기 메사 구조의 상부면의 외곽 모서리 길이(L)에 대한 면적(A)의 비율(L/A)은 0
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제8항에 있어서,상기 메사 구조의 상부면은 제1 모서리 및 이와 수직한 제2 모서리를 갖는 직사각형 형상을 갖고, 상기 제1 모서리의 길이와 상기 제2 모서리의 길이의 비는 1:1을 초과하고, 1:10 이하인, 반도체 발광소자
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제8항에 있어서,상기 복수의 전극은 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하고,상기 반도체 구조물에 인가하는 전류는 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극을 통해 인가한 전류인 반도체 발광소자
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