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(a) 기판 상에, 액적(droplet) 형태로 액상 갈륨을 전사하는 단계;(b) 압착판으로 전사된 상기 액상 갈륨을 압착하여, 2차원 박막 형태의 산화갈륨층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 산화갈륨층을 열처리하여, 2차원 박막 형태의 베타 산화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계는,마이크로 피펫(micro pipet)을 이용해, 상기 액상 갈륨을 액적 형태로, 상기 기판 상에 떨어뜨리는 단계;를 포함하는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계는,30℃ 이상으로 가열된 핫 플레이트(hot plate) 상에, 상기 기판을 배치하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 액상 갈륨을 떨어뜨리는 단계;를 포함하는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계에서,0
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계에서,압착한 상기 압착판은, 상기 산화갈륨층의 상부면에 대해 수직한 방향으로 이격되면서 제거되는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계에서,500 ~ 1000℃의 온도로 열처리하는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계에서 전사되는 상기 액상 갈륨의 양, 및 상기 (b) 단계에서 상기 액상 갈륨을 압착하는 압착력에 의해, 상기 베타 산화갈륨 박막의 두께 및 면적이 조절되는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계 이후에,상기 (c) 단계에서 생성된 상기 베타 산화갈륨층 상에, 상기 (a) 단계에 따른 액상 전사 단계, 상기 (b) 단계에 따른 산화갈륨층 형성 단계, 및 상기 (c) 단계에 따른 베타 산화갈륨층 형성 단계를 순차적으로, n(n≥1, 자연수) 회 추가 수행하여, 상기 기판 상에 n+1(n≥1, 자연수) 개의 상기 베타 산화갈륨층을 적층시키는 베타 산화갈륨 박막 제조방법
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