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양극산화법을 이용한 베마이트 나노입자 또는 베이어라이트 나노입자 대량 제조방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2021015901
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 베마이트(AlO(OH))를 형성하기 위한 알루미늄으로 이루어진 양극 및 음극을 전해질 용액 내로 침지시키는 단계; 및 상기 양극 및 음극에 전압을 인가하여 양극에서 베마이트를 형성시키는 단계;를 포함하고, 상기 베마이트를 형성시키는 단계는 25℃ 초과 100℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 베마이트 나노입자의 제조방법이 개시된다.
Int. CL C25B 1/00 (2021.01.01) C25B 11/02 (2021.01.01) C25B 11/057 (2021.01.01) C25B 9/00 (2021.01.01) C25B 9/17 (2021.01.01) C01F 7/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210024006 (2021.02.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0144561 (2021.11.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200060813   |   2020.05.21
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.23)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성오 대전광역시 유성구
2 이상윤 대전광역시 유성구
3 이재우 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-0216951-67
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번호 청구항
1 1
베마이트(AlO(OH))를 형성하기 위한 알루미늄으로 이루어진 양극 및 음극을 전해질 용액 내로 침지시키는 단계; 및상기 양극 및 음극에 전압을 인가하여 양극에서 베마이트를 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 베마이트를 형성시키는 단계는 25℃ 초과 100℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 베마이트 나노입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전해질 용액은 할로겐염을 포함하고,상기 할로겐염은 염화나트륨(NaCl) 및 염화칼륨(KCl)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 베마이트 나노입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전압은 1
4 4
베이어라이트(Al(OH)3)를 형성하기 위한 알루미늄으로 이루어진 양극 및 음극을 전해질 용액 내로 침지시키는 단계; 및상기 양극 및 음극에 전압을 인가하여 양극에서 베이어라이트를 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 베이어라이트를 형성시키는 단계는 0℃ 초과 25℃ 미만의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 베이어라이트 나노입자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 전해질 용액은 할로겐염을 포함하고,상기 할로겐염은 염화나트륨(NaCl) 및 염화칼륨(KCl)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 베이어라이트 나노입자의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 전압은 1
7 7
제1항의 제조방법으로 제조된 베마이트 나노입자 또는 제4항의 제조방법으로 제조된 베이어라이트 나노입자를 소성하여 알루미나(Al2O3)를 제조하는 단계를 포함하는 알루미나 나노입자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 소성은 400℃ 내지 1200℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 알루미나 나노입자의 제조방법
9 9
베마이트(AlO(OH))를 형성하기 위한 알루미늄으로 이루어진 적어도 2개 이상의 양극; 상기 적어도 2개 이상의 양극 각각을 독립적으로 둘러싸는 음극; 및전해질 용액;을 포함하고,상기 양극 및 음극이 전해질 용액 내로 침지되며, 상기 양극 및 음극에 전압이 인가되어 양극에서 베마이트 나노입자가 형성되는 베마이트 나노입자 제조장치
10 10
제9항에 있어서,상기 음극은 상기 적어도 2개 이상의 양극이 삽입되는 복수 개의 홀이 형성된 음극 본체를 포함하는 베마이트 나노입자 제조장치
11 11
제10항에 있어서,상기 음극은 상기 음극 본체 상부에 위치하며, 상기 적어도 2개 이상의 양극이 삽입 결합되는 복수 개의 홀이 형성된 절연 지그를 포함하는 베마이트 나노입자 제조장치
12 12
제9항에 있어서,상기 베마이트 나노입자 제조장치는 와이어 형태인 양극을 공급하기 위한 양극 공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 베마이트 나노입자 제조장치
13 13
제12항에 있어서,상기 양극 공급장치는,와이어 형태인 양극을 공급하는 양극 공급기; 및양극 공급기로부터 공급되는 양극을 음극에 삽입시키기 위한 적어도 1개 이상의 롤러를 포함하는 가이드 롤러;를 포함하는 베마이트 나노입자 제조장치
14 14
베이어라이트(Al(OH)3)를 형성하기 위한 알루미늄으로 이루어진 적어도 2개 이상의 양극; 상기 적어도 2개 이상의 양극 각각을 독립적으로 둘러싸는 음극; 및전해질 용액;을 포함하고,상기 양극 및 음극이 전해질 용액 내로 침지되며, 상기 양극 및 음극에 전압이 인가되어 양극에서 베이어라이트 나노입자가 형성되는 베이어라이트 나노입자 제조장치
15 15
제14항에 있어서,상기 음극은 상기 적어도 2개 이상의 양극이 삽입되는 복수 개의 홀이 형성된 음극 본체를 포함하는 베이어라이트 나노입자 제조장치
16 16
제15항에 있어서,상기 음극은 상기 음극 본체 상부에 위치하며, 상기 적어도 2개 이상의 양극이 삽입 결합되는 복수 개의 홀이 형성된 절연 지그를 포함하는 베이어라이트 나노입자 제조장치
17 17
제14항에 있어서,상기 베이어라이트 나노입자 제조장치는 와이어 형태인 양극을 공급하기 위한 양극 공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이어라이트 나노입자 제조장치
18 18
제17항에 있어서,상기 양극 공급장치는,와이어 형태인 양극을 공급하는 양극 공급기; 및양극 공급기로부터 공급되는 양극을 음극에 삽입시키기 위한 적어도 1개 이상의 롤러를 포함하는 가이드 롤러;를 포함하는 베이어라이트 나노입자 제조장치
19 19
제1항의 제조방법으로 제조되며,1 nm 내지 100 nm의 직경을 갖는 베마이트 나노입자
20 20
제4항의 제조방법으로 제조되며,1 nm 내지 100 nm의 직경을 갖는 베이어라이트 나노입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 원자력연구개발사업 전자빔 조사를 이용한 중대형 리튬 이차전지용 고내열성·고강도 유·무기 복합 분리막 제조기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 연구산업육성 금속 및 실리콘 산화물 나노입자 대량생산 기술개발