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고전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022001349
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 고선형 고주파 HEMT 소자 제조 방법을 제공한다. 서로 다른 문턱전압과 트랜스컨덕턴스 최대치를 가지는 게이트 전극들을 형성하고 이를 멀티-핑거 구조로 하나의 고선형 고주파 HEMT 소자를 제작한다. 서로 다른 문턱전압과 트랜스컨덕턴스들을 획득하기 위해서 베리어층을 서로 다른 깊이로 식각하고 식각된 부분에 게이트 유전막 및 게이트 전극을 형성한다. 이렇게 제작된 HEMT 소자는 다양한 문턱전압과 트랜스컨덕턴스를 가지며 트랜스컨덕턴스들의 중첩으로 인하여 트랜스컨덕턴스의 최대치 보다 높은 게이트 전압에서도 급격하게 감소하지 않고 높은 수치를 유지할 수 있다. 이를 통하여 고주파 동작시 3차 고조파의 발생을 억제하여 고선형 고주파 동작이 가능하다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/45 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200132953 (2020.10.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0013870 (2022.02.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200093398   |   2020.07.27
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성재 대전광역시 유성구
2 강수철 대전광역시 서구
3 김해천 대전광역시 서구
4 안호균 대전광역시 유성구
5 임종원 대전광역시 서구
6 정현욱 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-1086888-16
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번호 청구항
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기판 상에 배치된 전이층;상기 전이층 상에 배치된 반도체층;상기 반도체층 상에 배치된 베리어층;상기 베리어층을 관통하여 상기 베리어층과 접속하는 다수의 소스 전극들과 다수의 드레인 전극들;상기 베리어층에 서로 다른 깊이로 식각된 게이트 영역에 배치된 게이트 전극; 상기 다수의 소스 전극 및 상기 다수의 드레인 전극 상에 배치된 금속 배선; 및드레인 전극을 사이에 두고 분리되어 있는 소스 전극들 상에 배치된 상기 금속 배선을 연결하는 에어-브릿지 전극을 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 융합연구사업 내방사선 고주파 소자 국산화 기술 개발 선행연구